硅片减薄技术研究.pdfVIP

第10卷，第03期 电 子 与 封 装 总 第83期 Vol 10 NO 03 ． ELECTRONICS ＆ PACKAGING 2010年 03月 封 ，装，、 组 装 与 测 试 硅片减薄技术研究 木瑞 强，刘 军，曹玉生 (北京微 电子技术研究所，北京 100000) 摘 要 ：集成 电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足 IC封装要求，越来越 多的薄芯片将会 出现在封装 中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能，降低功率 器件的电阻。因此，硅片减薄的地位越来越重要 。文章简要介绍 了减薄的几种方法，并对两种不 同研磨减薄技术的优缺点进行 了对比。此外 ，从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所 使用的保护膜等几方面进行 了实验 的验证 ，分析 了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后 的 质量情况，使用统计方法，对减薄的过程进行 了监控 。 关键词 ：硅 片；背面减薄；研磨 中图分类号 ：TN305．94 文献标识码 ：A 文章编号 ：1681-l070(2010)03．0009．05 TheStudyonSiliconGrindingTechnology MURui—qiang，LIU Jun，CAOYu—sheng (BeoingMicroelectronicsTechnologyInstitute，Bejiing100000，China) Abstract：AsICchipsarefastdevelopingtowardhigherdensity,higherperformanceandsmallersize，tomeet thedemandsofICpackage，waferthinningwillplayamoreimportantrole．Inthispaper，somemethodsabout thethinningareintroduced．Thegrindingparametersarediscussedandtheinfluenceoftapeongrindingquality isalsodescribed．Statisticisappliedforgrindingprocess． Keywords：silicon；grinding；backthinning 学腐蚀 (PACE)、常压等离子腐蚀 (Atmospheric 1 引言 DownstreamPlasmaEtching，ADPE)等，其中最常用 的减薄技术有研磨、CMP、湿法腐蚀等。其中因为 随着集成 电路向着短小轻薄的方向发展 ，封装 研磨的加工效率高 ，加工后的硅片平整度好 ，成本 中使用更薄的硅片 已成为必然。目前行业 内可以将 低 ，多被封装厂所采用 。 硅片减薄至 50 m，相当于普通人头发丝的直径。 通过减薄 ，可以将硅片背面多余材料去除掉，不仅 2 硅片背面研磨减薄技术 有效的减小 了硅片封装体积 ，同时，也提高了器件 在散热、机械、电气等方面的性能 。目前减薄有以 目前，硅片背面研磨减薄技术主要有旋转工作 下几种方法 ：研磨 、化学机械抛光 (CMP)、干式抛 台减薄与硅片 自旋转减薄两种 。 光 (DryPolishing)、电化学腐蚀 (El