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第六章 光电检测器与光接收机 6.1 光电检测器 6.2 光电检测器的特性指标 6.3 光 接 收 机 6.4 光接收机的噪声 6.5 光接收机的灵敏度 6.1 光电检测器 6.1.1 PIN光电二极管 1. PIN光电二极管结构 PIN光检测器也称为PIN光电二极管PINPD(PIN Photodiode)，PIN的意义是表明半导体材料的结构，它是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间插入了一层轻掺杂的N型半导体材料(如Si)，称为I(Intrinsic)层。由于受激辐射仅仅发生在PN结附近，远离PN结的地方没有电场存在，因此就决定了PNPD或PIN光电检测器的光电 变换效率较低及 响应速度较慢。 其结构如右图所 示： 2. PIN光电二极管的工作原理 当光照射到PIN光电二极管的光敏面上时，会在整个耗尽区(高场区)及耗尽区附近产生受激吸收现象，从而产生电子空穴对并形成光生电流。 上图中，入射光从P+区进入后不仅在耗尽区被吸收，在耗尽区外也被吸收(这部分形成光生电流中的扩散分量)。P+区电子先扩散到耗尽区的左边界，然后通过耗尽区才能到达N区。同样，N区的空穴也是要扩散到耗尽区的右边界后才能通过耗尽区到达P+区。将耗尽区中光生电流称为漂移分量，它的传送时间主要取决于耗尽区宽度。显然扩散电流分量的传送要比漂移电流分量所需时间长，结果使光检测器输出电流脉冲后沿的拖尾加长，由此产生的时延将影响光检测器的响应速度。 6.1.2 APD雪崩光电二极管 雪崩光电二极管APD(Avalanche Photo Diode) 不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成。APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 1. 雪崩光电二极管的结构 目前常用的APD结构包括 保护环型GAPD和拉通型RAPD ，保护环型在制作时淀积一层 环形N 型材料，以防止在高反 压时使P-N结边缘产生雪崩击穿 ，结构和电场分布如右图所示。 3. APD工作原理 当光照射到APD光敏面上时，由于受激吸收而在器件内产生出最初的电子-空穴对(一次电子-空穴对)。由于APD上加了较高反向偏置电压，电子-空穴对在该电场作用下加速运动，获得很大动能，当其与中性原子碰撞时 ，使中性原子价带上的电子获得能量后跃迁到导带，产生新的电子-空穴对(二次电子-空穴对)。这些二次载流子在强电场作用下，碰撞别的中性原子进而产生新的电子-空穴对，于是引起产生新载流子的雪崩过程，亦即一个光子最终产生许多载流子，使得光信号在光电二极管内部获得放大。 6.2 光电检测器的特性指标 6.2.1 光电检测器的工作特性 PIN管特性包括响应度、量子效率、响应时间和暗电流。APD 管除有上述特性外， 还有雪崩倍增特性、 温度特性等。 2. 量子效率 响应度是器件在外部电路中呈现的宏观灵敏特性，而量子效率是器件在内部呈现的微观灵敏特性。量子效率定义为通过结区的载流子数与入射的光子数之比，用符号? 表示： ? = 通过结区的光生载流子数/入射到器件上的光子数 = (Ip/e)/(P/hv) = Iphv/(Pe) 式中：e是电子电荷(1.6×10-19G)；v为光频。?与? 关系为： ? = ? hc/(?e) 式中：h是普朗克常数，c是光在真空中的速度, ?是光电检测器的工作波长。代入相应数值后，可以得到： ? = ?? /1.24 从上式可以看出：在工作波长一定时，?与?具有定量的关系。考虑到APD的雪崩效应，其响应度可表示为: ?APD = ?Me / (h? ) = M?PIN 典型量子效率值为50%~100%，APD响应度为0.75～130。 3. 响应速度 响应速度是反映光检测器对瞬变或高速调制光信号响应能力的参数，一般用光检测器输出脉冲的响应时间(上升时间和下降时间)来表示。显然响应时间越短越好。响应速度主要受以下三个因素影响：①耗尽区的光载流子的渡越时间；②耗尽区外产生的光载流子的扩散时间；③ 光电二极管及与其相关的电路的RC时间常数。 当光电二极管的结电容比较小时，上升时间和下降时间较短且比较一致；当光电二极管的结电容比较大时，响应时间会受到负载电阻与结电容所构成的RC时间常数的限制，上升时间和下降时间都较长。 一般光检测器的产品技术指标中给出的是上升时间，通常，tr PIN,