[计算机硬件及网络]09第3章 存储器的分类及特点.pptVIP

第3章 存储器的分类及特点 本章主要介绍： 存储器分类及分级结构； RAM； ROM与快闪存储器； 存储器与CPU接口的基本技术。 重点是存储器与CPU接口的基本技术。 为了解决存储器速度与价格之间的矛盾，出现了 存储器的层次结构。 在某一段时间内，CPU频繁访问某一局部的存储 器区域，而对此范围外的地址则较少访问的现象就是 程序的局部性原理。 层次结构是基于程序的局部性原理的。对大量典 型程序运行情况的统计分析得出的结论是：CPU对某 些地址的访问在短时间间隔内出现集中分布的倾向。 这有利于对存储器实现层次结构。 目前，大多采用三级存储结构。 即：Cache-主存-辅存，如下图： Cache引入主要解决存取速度，外存引入主要解决容量要求。 CPU内的寄存器、Cache、主存、外存都可以存储信息，它们各有自己的特点和用途。它们的容量从小到大，而存取速度是从快到慢，价格与功耗从高到低。 Cache又分为指令Cache和数据Cache。 主存储器（内存）是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。通常，用户程序执行前都存放在外存储器中，当要执行时，由操作系统将其从外存调入内存，并把其中即将要执行的部分同时调入cache中。程序执行过程中的中间结果保存在内存中，程序最终运行结果需要长期保存时，又从内存调入外存中。 外存储器为大容量辅助存储器，通常用来存放系统程序和大型数据文件或数据库，外存储器具有存储容量大，位成本低的优点，满足计算机的大容量存储要求。目前主要使用磁带存储器、磁盘存储器和光盘存储器。 存储器通过总线与CPU连接，它们之间要交换地址 信息、数据和控制信息。其接口信号如图。 第3章 存储器 3.3.1 ROM 3.可擦除可编程的只读存储器 EPROM（Erasable PROM） PROM虽然可供用户进行一次编程，但仍有局限性。为了便于研究工作，实验各种ROM程序方案，可擦除、可再编程ROM 在实际中得到了广泛应用。这种存储器利用编程器写入信息，此后便可作为只读存储器来使用。 目前，根据擦除芯片内已有信息的方法不同，可擦除、可再编程ROM 可分为两种类型：紫外线擦除PROM（简称EPROM）和电擦除PROM（简称EEPROM 或E2PROM）。 第3章 存储器 3.3.1 ROM 3.可擦除可编程的只读存储器 EPROM（Erasable PROM） （1）紫外线可擦除的只读存储器 EPROM EPROM 是可以反复（通常多于100 次）擦除原来写入的内容，更新写入新信息的只读存储器。EPROM 成本较高，可靠性不如掩模式ROM 和PROM，但由于它能多次改写，使用灵活，所以常用于产品研制开发阶段。 （2）电可擦除可编程的只读存储器EEPROM（Electrically Erasable PROM） EEPROM（也称为E2PROM）是一种采用金属氮氧化硅（MNOS）工艺生产的可擦除可再编程的只读存储器。擦除时只需加高压对指定单元产生电流，将该单元信息擦除，其他未通电流的单元内容保持不变。E2PROM 具有对单个存储单元在线擦除与编程的能力，芯片封装简单，对硬件线路无特殊要求，操作简便，信息存储时间长。 第3章 存储器 3.3.1 ROM 3.可擦除可编程的只读存储器 EPROM（Erasable PROM） 与EPROM相比，E2PROM具有集成度低、存取速度较慢、完成程序在线改写需要较复杂的设备、重复改写的次数有限制（因氧化层被磨损）缺点。 其主要优点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不丢失。E2PROM的另外一个优点是擦除时可以按字节分别进行（不像EPROM 擦除时要把整个片子的内容通过紫外光照射全变为1），也可以全片擦除，E2PROM的擦除不需紫外光的照射，写入时也不需要专门的编程设备。因而使用上比EPROM 方便。 第3章 存储器 3.3.2 快闪存储器 快闪存储器（Flash Memory）简称快闪，是近年来发展很快的一种新型半导体存储器。它与E2PROM类似，也是一种电擦写型ROM。与E2PROM的主要区别是E2PROM是按字节擦写，速度慢；而闪存是按块擦写，速度快。从结构上来看，flash芯片可分别为串行传输和并行传输两大类型。其中，串行flash节约空间和成本，但存储容量较小，速度慢；而并行flash存储容量大，速度快，存取时间约为65～170ns。 3.4 存储器与CPU的接口 A0~Am D0~