半导体与纳米半导体的性能差异及应用前景.doc

半导体与纳米半导体的性能差异及应用前景 张婷婷 （河北工业大学材料科学与工程学院，材料物理与化学国家重点学科，天津） 摘要：分别介绍了块体半导体与纳米半导体材料的一些特性及其应用，比较得出纳米半导体材料由于具有纳米材料的基本性质：表面效应、小尺寸效应、量子限域效应和介电限域效应等，导致其在光、电、声、磁、热等方面的性能与常规块体材料相比有着显著的不同，从而也就具有不同的应用范畴，最后对纳米半导体材料的发展前景做了展望。 关键词：半导体；纳米半导体；介电限域效应 Performance and Application of Semiconductor and Nano-semiconductor Materials ZHANG Tingting （College of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China ） Abstract： The properties and applications of bulk and nano-semiconductor materials are mentioned. Nano-semiconductor materials with the basic properties of nano-materials, surface effect, small size effect, quantum confinement effects and dielectric confinement effects, etc., has a significant difference in light, electricity, sound, magnetism, heat and other aspects of performance with conventional bulk materials, so do as the application. The last, the development prospect of nano-semiconductor materials are put forward. Key words：semiconductor ;nano-semiconductor; dielectric confinement effect 半导体材料与技术一直是推动信息时代前进的原动力和发动机，是现代高科技的核心与先导。新型半导体材料的研究和突破，常常导致新的技术革命及新兴产业的发展。20世纪中叶，半导体及晶体管的发明，以及硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命；上世纪70年代初，石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代；超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程” [1]；随着纳米科学技术的发展和应用,纳米半导体材料出现，使人类能够从原子、分子、纳米尺度上来控制、操纵和制造功能更加强大的新型器件与新型电路，这必将给人类带来更大的进步。 1.半导体材料的概述 自然界的物质按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体材料（semiconductor material）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，电阻率ρ位于10-4Ω·cm-109Ω·cm[2]之间。半导体材料具有很多特性：首先，纯净半导体的电阻率随温度呈负系数变化，这与金属导体恰恰相反；其次，半导体材料的导电能力对外界作用很敏感，所以一般反映半导体内在基本性质的是各种外界因素，如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，包括光生伏特效应、温差电效应、热电效应、磁阻效应、霍尔效应、压阻效应、光磁电效应等等；另外，半导体的导电能力随加入其他元素而变化，因此可以通过掺杂不同元素来控制得到所需的半导体材料。 用于描述半导体性质的有一些固有的特性参数，如：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命、位错密度等。禁带宽度是由半导体的电子态及原子组态决定的，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量大小。电阻率和载流子迁移率均反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷，而位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料按不同的标准分类不同，按成分组成可分为无机半导体（包括：元素半导体、化合