[工学]第10章 半导体探测器.pptVIP

* CdTe, CdZnTe, HgI2 的特性参数 CdTe CdaZnbTe HgI2 Si Ge 原子序数 48/52 48/30/52 80/53 14 32 禁带宽度(eV) 1.44 1.64(a=0.8,b=0.2) 1.53(a=0.96,b=0.04) 2.13 1.12 0.67 密度(g/cm3) 6.2 ～6 6.4 2.33 5.33 电阻率(Ω cm) 109 1011 1013 up to 104 50 电子迁移率(cm2/V.s) 1100 1350 100 1400 3900 空穴迁移率(cm2/V.s) 100 120 4 480 1900 μτ(e) (cm2/V) 3.3×10-3 1×10-3 10-4 1 1 μτ(h)(cm2/V) 2×10-4 6×10-6 4×10-5 ≈ 1 1 电离能/e-h对 4.43 5.0 4.3 3.61(300K) 3.76(300K) 2.98(77K) 最佳γ射线能量分辨率 1.7keV@60keV(300K) 3.5keV@122keV(300K) 11.6keV@662keV(300K) 3.2keV@122keV(300K) 5.96keV@662keV(300K) 400eV@60keV（77K） 550eV@122keV(77K) 400eV@122keV(77K) 900e