[工学]第三章 集成逻辑门最新.pptVIP

1 第三章 集成逻辑门 主要内容 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4 MOS逻辑门 3.5 CMOS电路 一、按集成电路规模分类 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 集成电路规模的划分 二、按集成工艺分类 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 3.1 晶体管的开关特性 (1).晶体三极管从截止向饱和转换的过渡过程：由延迟时间td和上升时间tr组成。即开启时间 ton=td+tr 延迟时间 td: 从输入信号正跃变开始，到集电极电流上升到0.1ics所需的时间。 产生原因是发射结电容的正向充电过程。 td的大小与晶体三极管的结构有关，发射结面积越大，结电容面积