[电子]模拟电子技术基础 (1常用半导体器件).ppt

—多媒体教学课件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第四版华成英;第四版华成英;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;+4;+4;第一章 半导体器件;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体; 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;+4;二、 P 型半导体;说明：; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ; PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;二、 PN 结的单向导电性;　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。;　耗尽层;　　 当 PN 结正??偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　;IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应;　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2. 扩散电容 Cd;综上所述：;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;1.3　双极型晶体管(BJT);1.3.1　晶体管的结构及类型;图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型;集电区;1.3.2　晶体管的电流放大作用;三极管内部结构要求：;实验;b;b;b;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;1.4　场效应三极管;第一章 半导体器件;D;P 沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;G;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;二、结型场效应管的特性曲线; 转移特性;IDSS/V;第一章 半导体器件;1.4.2　绝缘栅型场效应管MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;1. 工作原理;(2) UDS = 0，0 < UGS < UGS(th);(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS > UT);D;3. 特性曲线与电流方程;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;第一章 半导体器件;;;1.4.3　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;第一章 半导体器件