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光电子技术5314033
光敏电阻的光电导增益 光电导增益 光电流与光生电子电荷之比。 将 代入,得到 Mn为电子增益系数, Mp为空穴增益系数 影响光电导增益的因素 光电子在电极间L的渡越时间 电子增益系数 空穴增益系数 本征型光敏电阻增益系数 其中 ,令 (tdr称有效渡越时间) 就有 τ 载流子寿命短,复合快,M小。 tdr有效渡越时间短(加大V、减小L),M大。 光敏电阻的光谱响应率 光敏电阻的光电特性 光电特性 光电流与照度的关系。 Sg:光电导灵敏度 (S/lx、S/μW) ,γ:光照指数0.5~1 光敏电阻的光电特性 光电特性 光电流与入射光通量之间的关系 光电流与入射单色辐射通量之间的关系 光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性(线性与非线性) 在弱辐射作用的情况下, 称直线性光电导;随着入射辐射的增强, 值减小;当入射辐射很强时 值降低到0.5,则称为非线性光电导。 光敏电阻的光电特性 光敏电阻的光电特性 伏安特性 光敏电阻的时间响应 光敏电阻的时间响应 非平衡状态下光电导率Δσ和光电流Ip 随时间变化的规律为 光敏电阻的时间响应 强辐射作用情况下的时间响应 对应脉冲前沿,光敏电阻电导率的变化规律为: 光敏电阻的前历效应 前历效应 光敏电阻时间特性与工作前“历史”有关的一种现象 。 暗态前历 光敏电阻原处于暗态,突然受到光照后的滞后现象。 亮态前历 亮态前历效应 光敏电阻原处于亮态,当照度与工作时所要达到的照度不同时,所出现的一种滞后现象。 光敏电阻的温度特性 光敏电阻的使用 光照指数γ与光照强弱有关,只有在弱光照下光电流与入射辐射通量成线性关系。 光度量测试仪器时,必须对光谱特性曲线进行修正,保证其与人眼的光谱光视效率曲线符合。 温度低时,光敏电阻灵敏范围和峰值波长都向长波方向移动,可用冷却来提高光敏电阻在长波区的灵敏度。 光敏电阻不适于在高温下使用,高温时输出将明显减小。 光敏电阻频带宽度都比较窄,一般小于1000Hz,光电增益与带宽之积为一常量,以牺牲灵敏度来提高带宽。 应考虑到光敏电阻的额定功耗,负载电阻值不能很小。 进行动态设计时,应意识到光敏电阻的前历效应。 常用光电导材料 照明灯的光电控制电路 火焰探测报警器 照相机电子快门 光敏电阻与光电二极管 * 红外光敏电阻 1-硫化镉单晶 2-硫化镉多晶 3-硒化镉多晶 4-硫化镉与硒化镉混合多晶 光谱响应率 光电流—照度特性曲线 如图所示为CdS光敏电阻的光电特性曲线。给出了在恒定电压的作用下,流过光敏电阻的电流Ip与入射光照度E间的变化关系,由图可见它是由线性渐变到非线性的。 式中Sg为光电导灵敏度,E为入射光照度。显然,当照度很低时,曲线近似为线性;随照度的增高,线性关系变坏,当照度变得很高时,曲线近似为抛物线形。 在实际使用时,常常将光敏电阻的光电特性曲线改画成电阻和照度的关系曲线。图所示为两种坐标框架的特性曲线,其中左图为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R与入射照度EV的关系曲线,而右图为对数直角坐标系下的阻值R与入射照度EV的关系曲线。 如右图所示的对数坐标系中光敏电阻的阻值R在某段照度EV范围内的光电特性表现为线性。 γ值为对数坐标下 特性曲线的斜率。即 RA与RB分别是照度为EA和EB时光敏电阻的阻值。 光敏电阻的本质是电阻,符合欧姆定律。因此,它具有与普通电阻相似的伏安特性,但是它的电阻值是随入射光通量而变化的。 利用上图所示的电路可以测出在不同光照下加在光敏电阻两端的电压U与流过它的电流Ip的关系曲线,并称其为光敏电阻的伏安特性。 典型CdS光敏电阻的伏安特性曲线 光照 光电导体 IP 电极 电极 V 光敏电阻的时间响应(又称为惯性)比其他光电器件要差(惯性要大)些,频率响应要低些,而且具有特殊性。当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻时,光生电子要有产生的过程,光生电导率Δσ要经过一定的时间才能达到稳定。当停止辐射时,复合光生载流子也需要时间,表现出光敏电阻具有较大的惯性。光敏电阻的惯性与入射辐射信号的强弱有关,下面分别讨论。 当t =τ=τ上时,Δσ =0.63Δσ0,Ip=0.63Ip0 τ上定义为光敏电阻的上升时间常数。 1. 弱辐射作用
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