半导体元件与物理-联合大学.PDFVIP

半導體元件與物理 半導體元件與物理 Semiconductor Devices and physics Semiconductor Devices and physics 許正興 國立聯合大學電機工程學系 聯大電機系 電子材料與元件應用實驗室  1. Crystal Structure of Solids  2. Quantum Theory of Solids  3. Semiconductor in Equilibrium and Carrier Transport phenomena  4. PN Junction and Metal-Semiconductor  5. BJT  6. MOSFET  7. Optical Device 聯大電機系 電子材料與元件應用實驗室 MS Contacts Schottky Diodes  Ideal MS contact 僅有金屬與半導體接觸 ，其中沒有任何中間層  金屬與半導體之間沒有所謂擴散之問題 在金屬與半導體的界面上不存在表面電荷 電子能夠由材料的 Fermi level脫離而達到完全自由所需之能量稱之為 work function 。 自由電子所在之位置稱之為 vacuum level  金屬的fermi level就在材料表面 ，因此其 work function便是 vacuum level 和fermi level的差  半導體的work function與金屬有別 ，因為其 fermi level在CB之下 ，所以其 work function  (E E ) s c F FB   其中 為electron affinity ，也就是電子由 CB 表面脫離至vacuum level所 需之能量 ，每一半導體有其特定值 ，至於fermi level 與CB之差值則決定 在雜質的摻入量來決定 。  金屬與半導體接觸將有四種可能性的組合，半導體區分為P type及N type ，而其中金屬的work function 與半導體的work function 將會有大有小的 可能性 聯大電機系 電子材料與元件應用實驗室  以金屬及N type的半導體接觸為例  當金屬的 work function 大於半導體的work function時 ，剛接觸時 ，半導體區將 會有電子流入金屬區 （因為 femi level較高 ），平衡後在半導體區因為為保持電 中性自然形成正帶有正電荷之離子存在 ，最後形成一反向電場阻止電子流向金 屬區 ，在半導體界面將會形成一額外之障礙位能 。 該位能障礙值為金屬之 work function 與半導體electron affinity的差值 。  當金屬的 work function 小於半導體的work function時則該現象不存在 聯大電機系 電子材料與元件應用實驗室  當金屬的 work function 大於半導體 的 work function則所形成之界面與 PN junction的二極體相當類似  順向電壓時 ，降低金屬的 Fermi level 使得半導體的電子容易流入金屬區  與半導體的PN diode的不同點在於 只有單一種類之載子參與作用 。 聯大電機系 電子材料與元件應用實驗室  當金屬與半導體接觸後 ，若