01《电子技术基础》单元练习(一)(半导体与二极管).docVIP

《电子技术基础》单元练习（一） 半导体与二极管 一、填空题 1、金属靠　　　　　　　　导电，半导体靠　　　　　　　　和　　　　　　　　导电。 2、Ｎ型半导体的多数载流子是　　　　　　，Ｐ型半导体的少数载流子是　　　　　　　。 3、常用的半导体材料有　　　　　　和　　　　　　　　。 4、2CW是　　　　材料的　　　　　　二极管；2AK是　　　　材料的　　　　　　二极管；2CZ是　　　　材料的　　　　　　二极管；2AP是　　　　材料的　　　　　　二极管；2CU　　　　　　　　　　　　　　　　　　是　　　　　　材料的　　　　　　二极管； 5、硅二极管的正向电阻　　　　于锗二极管的正向电阻，硅二极管的正向压降　　　　于锗二极管的正向压降。 6、PN结具有　　　　　　　　　　特性。稳压二极管一般应工作在　　　　　　　　状态，起 　　　　　　　作用；LED应工作在　　　　　　　　　状态，起　　　　　　　　　　　　　作用；光电二极管应工作在　　　　　　　　　状态，起　　　　　　　　　　　　　作用；变容二极管应工作在　　　　　　　　　状态，起　　　　　　　　　　　　　作用。 7、硅二极管的死区电压为　　　　　，正向导通压降为　　　　　；锗二极管的死区电压为　　　　　，正向导通压降为　　　　　。 8、在电路中，如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会　　　　　　　；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会　　　　　　。 9、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已　　　　　　　　；又有一二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已　　　　　　　　；还有一硅二极管正反向电阻相差不大，表明该二极管已　　　　　　　　　　　　　　　。 10、在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常　　　　于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳性能较　　　　　。 11、二极管的主要参数有　　　　　　　　　　　和　　　　　　　　　　。 12、晶体二极管所加　　　　　　　电压过大而　　　　　　　　　　，并且出现　　　　　的现象，称为热击穿。 13、变容二极管工作电压为　　　　　　　　，它的容量随反向电压　　　　　　而　　　　。 二、是非题 1、在半导体内部，只有电子是载流子。（　　　　） 2、少数载流子是自由电子的半导体称为Ｐ型半导体。（　　　　） 3、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流，并且方向相反。（　　　） 4、晶体二极管反向击穿后立即烧毁。（　　　　） 5、由于半导体的导电能力介于导体与缘体之间，所以半导体的应用相当广泛。（　　　） 三、选择题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（　　）；而少数载流子的的浓度取决于（　）。 Ａ、温度　　　Ｂ、掺杂工艺　　　Ｃ、杂质浓度　　　　Ｄ、晶体缺陷 2、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（　　　）。 Ａ、增大　　　Ｂ、减小　　　　　Ｃ、不变 3、面接触型二极管主要适用于（　　） Ａ、小信号检波　　　　Ｂ、大功率整流　　　　　Ｃ、大电流开关 4、半导体中的空穴和自由电子数目相等时，这样的半导体称为（　　） Ａ、Ｐ型半导体　　　Ｂ、Ｎ型半导体　　　　Ｃ、本征半导体 5、当硅二极管加上0.3Ｖ的正向电压时，该晶体二极管相当于（　　　） Ａ、小阻值电阻　　　Ｂ、阻值很大的电阻　　　　Ｃ、内部短路 6、用万用表的欧姆档测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（　　　） Ａ、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10KΩ 7、某二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（　　）状态。 Ａ、零偏　　　　Ｂ、反偏　　　　　Ｃ、正偏 8、在Ｐ型半导体中（　　　） Ａ、空穴是多数载流子，电子是少数载流子 Ｂ、没有电子 Ｃ、空穴的数量略多于电子 9、把电动势是1.5Ｖ的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（　　） Ａ、电流为零　　　Ｂ、　电流基本正常　　Ｃ、击穿　　　Ｄ、被烧坏 10、某二极管的反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（　　　） Ａ、约等于150Ｖ　　　Ｂ、可略大于150Ｖ　 Ｃ、不得大于40Ｖ　　　Ｄ、等于75Ｖ 四、分析题 1、解释下列型号的意义 (1)2CZ55C 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (2)2CW21B　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (3)2AP9　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4)2AK1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5)2DU　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 2、有两个