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半导体制程技术联合大学
半導體製程技術
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Introduction to Semiconductor Process Technology
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許正興
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國立聯合大學電機工程學系
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Introduction to fabricated Integrated Circuits
Semiconductor Material and Device
Oxidation and Diffusion
Lithographic technology
Ion Implementation
Etch Technology
Thin Film Technology
CMP Technology
Process Integration
CMOS Process
氧化的氧來源
乾式氧化 高純度的氧氣
水蒸氣
氣泡式系統
沖洗式系統
氫和氧 , H + O →H O
2 2 2
氯源 再閘極氧化過程抑制移動的離子,
無水氯化氫,HCl
三氯乙烯 (TCE),三氯乙烷 (TCA)
氧化
矽和氧產生反應
產生穩定的氧化物
廣泛的使用在 IC 製造 Si + O2 → SiO2
原始的矽表面
二氧化矽 矽
O
2
O2 O
2 O
2
O
2
O O O
2 2 2
O
2
O
2
O O2
2
O O
2 2
O
2
55% 45%
氧化的應用
擴散的遮蔽層
表面鈍化
屏蔽氧化層, 襯墊氧化層, 阻擋用的氧化層
絕緣
全區氧化層和矽的局部氧化
閘極氧化層
擴散的阻擋
硼 (B)和磷 (P)在二氧化矽的擴散速率比在矽的擴散
速率來的低
二氧化矽可做為
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