第10章ic工艺薄膜化学汽相淀积cvd技术.ppt

2）SIPOS膜的生长工艺 LPCVD：SiH4—Si+2H2 600~650°C分解 a）工艺难点： 纯度的保证—高阻半绝缘性~106 ?cm 膜的均匀致密 b）生长时适当加入一定浓度的氧（~15%），形成的O-SIPOS膜的电阻率可提高（ ~108 ?cm） c）掺入氮（N-SIPOS）可提高抗金属离子和水汽的浸蚀 d）SIPOS膜的表面通常覆盖一层SiO2膜 e）加入PH4、AsH4和BH4等可生长出高电导的掺杂多晶硅 3）掺杂多晶硅在器件中的作用 a）MOS栅的自对准工艺 b）MOS感应栅—可读写和闪存器件 10.3.5. 金属材料CVD 金属膜的生长以物理溅射为基本方法，但由于其方向性，使其台阶覆盖能力不好；合金膜和硅化物的组成配比较难控制。 1）金属硅化物的CVD 如LPCVD：2WF6+SiH4—2WSix+3SiF4+14H2 6TiCl4+NH3—6TiN+24HCl+N2 Dep-Etch-Dep Process Film deposited with PECVD creates pinch-off at the entrance to a gap resulting in a void in the gap fill. Key-hole defect Bread-loaf effect Metal