[工学]第7章频率响应.ppt

　　2) 关于信号源内阻Rs 　　为了提高总的上限频率， 要求信号源内阻Rs尽量小。 如果信号源内阻较大， 则建议在信号源和共射极放大器之间插入一级射极跟随器作为隔离级， 利用射随器的阻抗变换作用(Ri大，Ro小)， 将Rs的影响减小， 如图7.4.7所示。 图7.4.7　插入共集电路以减小Rs大、CL大对fH的不良影响 　　3) 关于集电极负载电阻RC的选择原则 　　RC直接影响输入回路时常数和输出回路时常数。 RC增大， 密勒等效电容CM随之增大, ωH1下降， 而且输出电阻也随之增大， ωH2也将下降， 高频特性变差。 所以在宽带放大器中， 集电极负载电阻RC一般都是比较小的(几十～几百欧姆)。 通常在电路参数选定之后， 增益频带积G·BW基本上是一个常数。 频带宽了， 增益就小。 增益和频带是一对矛盾。 所以，选择RC时应兼顾AuI与fH的要求。 　　4) 关于负载电容CL 　　当今， 随着工艺水平的提高， 晶体管的fT可以做到很高(达GHz量级)， 因此负载电容CL对fH的影响被突出起来。 所以， 要设法减小CL及分布电容。 在印制板（PCB)设计中， 元件布局及布线时， 都要考虑设法减小分布电容。 而且当负载电容CL确实很大时， 也要应用共集电路加以隔离(如图7.4.7所示)。 将共集电路插入到共射电路与负载之间， 利用共集电路的输出电阻Ro特别小、 负载能力特别强这一特点， 来减小CL对高频响应所造成的不良影响。 　　【例7.4.1】　某运算放大器由三级组成， 如图7.4.8（a）所示， 其中相位补偿电容C跨接在第二级的输入端和输出端之间， 已知C＝30pF， 第一级输出电阻R1＝200kΩ， 第二级放大倍数Au2I＝1000， 第二级输入电阻Ri2＝200kΩ， 三级放大器中， 第一级上限频率fH1最低， 是主极点， 试求第一级的上限频率fH1。 图7.4.8　例7.4.1用图 　　解　利用密勒等效定律将C等效到第二级输入端， 得密勒等效电容CM为 　　画出等效电路(如图7.4.8(b)所示)， 则第一级上限频率fH1为 7.5　共集电路的高频响应 　　共集电路如图7.5.1(a)所示。 图7.5.1(b)中， 我们有意将基区体电阻rbb′拉出来， 并将Cb′c及Cb′e这两个对高频响应有影响的电容标于图中。 与共射电路对比， 我们有理由说， 共集电路的高频响应比共射电路要好得多， 即fH(CC)fH(CE)。 图7.5.1　共集电路高频响应的讨论 (a) 电路； (b) 高频交流通路及密勒等效 　　1. Cb′c的影响 　　由于共集电路集电极直接连接到电源UCC， 因此Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间， 不存在共射电路中的密勒倍增效应。 因为Cb′c本身很小(零点几～几pF), 只要源电阻Rs及rbb′较小， Cb′c对高频响应的影响就很小。 　　2. Cb′e的影响 　　这是一个跨接在输入端与输出端的电容， 利用密勒定理将其等效到输入端(如图 7.5.1(b)所示)， 则密勒等效电容CM为 CM=Cb′e(1－A′u) A′u为共集电路的电压增益， 是接近于1的正值， 故CMCb′e。 　　可见， 由于Cb′e的密勒等效电容远小于Cb′e本身， 故Cb′e对高频响应的影响也很小。 所以， 共集电路的上限频率fH1很高。 理论分析表明， 共集电路的fH1可接近于管子的特征频率fT。 　　同时我们可以看出， 共集电路的输入电阻很大， 而输入电容却很小。 这也是共集电路的特点之一。 　　3. CL的影响 　　我们知道， 共集电路的输出电阻Ro为 只要源电阻Rs较小， 工作点电流ICQ较大， 则Ro可以做到很小。 所以时常数RoCL很小， fH2很高。 因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。 　　综上所述， 共集电路的高频响应是很好的， 所以在多级放大器中， 总体高频响应主要取决于共射电路。 而共集电路的插入， 有利于共射电路高频响应的改善， 有利于总体上限频率fH的提高。 当然， 共集电路与共射电路一样， 适宜于恒压源激励。 如果源电阻Rs很大， 则Cb′c将成为限制上限频率的主要因素。 此时， 忽略Cb′c将会产生较大误差。 7.6　共基电路的高频响应 　　共基电路如图7.6.1(a)所示， 我们来考察晶体管电容Cb′e和Cb′c以及负载电容CL对高频响应的影响。 图7.6.1　共基电路高频响应的讨论 (a) 电路； (b) 高频交流通路 　　1. Cb′e的影响 　　由图7.6.1(b)可见， 如果忽略rbb′的影响， 则Cb′e直接接于输入端， 输入电容Ci=Cb′e， 不存在密勒倍增效应， 且与Cb′c无关。 所以， 共基电路的