[工学]第三章高频小信号放大器.ppt

二、晶体管的噪声 1、热噪声（Thermal Noise） 和电阻一样，在晶体管中，电子不规则的热运动同样会产生热噪声。发射极和集电极电阻的热噪声一般很小，可以忽略。因此这类由电子热运动所产生的噪声，主要存在于基极电阻 内，其噪声电压的均方值为 2、散粒噪声（Shot Noise） 散粒噪声是晶体管的主要噪声源。 它是由单位时间内通过PN结载流子数目的随机起伏而造成的。 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 散粒噪声的大小与晶体管的静态工作点电流有关，其功率谱密度为 式中I0为流过PN结的电流，q为电子电荷量。 3、分配噪声（Distribution Noise） 分配噪声只出现在晶体三极管内。 分配噪声就是集电极电流随基区载流子复合数量的变化而变化所引起的噪声。亦即由发射极发出的载流子分配到基极和集电极的数量随机变化而引起。 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 分配噪声本质上也是白噪声。但由于渡越时间的影响，当晶体管的工作频率高到一定值后，这类噪声的功率谱密度将随频率的增加而迅速增大。 所以晶体管的分配噪声不是白噪声，它的功率谱密度随工作频率的变化而变化。频率越高，噪声越大。 使分配噪声明显增加的频率为： 4、 噪声[或称闪烁噪声（Flicker Noise）] 噪声产生的原因目前尚有不同见解。但共同认为，它与半导体材料制作时表面清洁处理和外加电压有关。它主要在低频范围内起作用，其噪声频谱与频率近似成反比。 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 图3.5.4 晶体管的噪声系数与频率的关系 三、场效应晶体管的噪声 场效应管的噪声也有四个来源： 1、沟道热噪声 场效应管的沟道电阻由栅极电压控制。因此沟道电阻中载流子的热运动也会产生热噪声，它可用一个与输出阻抗并联的噪声电流源来表示： 式中， 为场效应管的跨导。 2、栅极感应噪声 这是场效应管沟道内的起伏噪声在栅极上感应产生的噪声。它与工作频率及沟道和栅极间的电容成正比，与场效应管的跨导成反比。 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 3、栅极散粒噪声 散粒噪声是由栅极内的电荷不规则起伏所引起的噪声。由于场效应晶体管栅极漏电流很小，所以栅极散粒噪声很小，可以忽略。 4、闪烁噪声（或称 噪声） 和晶体管相同，在低频端、噪声功率与频率成反比地增大。定性地说，这种噪声是由于PN结的表面发生复合、雪崩等引起的。在高频时可不考虑它的影响。 温室下，场效应晶体管的噪声系数近似计算公式为： 上式表明，噪声系数与信号源内阻及场效应管的跨导成反比。 * 3.5.1 电路内部的噪声来源 1、信噪比 信噪比：衡量一个信号质量优劣的指标。它是在指定频带内，同一端口信号功率 和噪声功率 的比值，即 当用分贝来表示信噪比时有： 信噪比越大，信号质量越好。 * 3.5.2 噪声系数 2、噪声系数 噪声系数定义：电路输入端的信噪比与输出端的信噪比之比值。 设输入端的信号功率为 ，由信号源内阻产生的噪声功率为 ，而网络的输出端负载上所得到的信号功率和噪声功率分别为 、 ，噪声系数定义为 或用dB表示为 * 3.5.2 噪声系数 噪声系数通常只适用线性网络，因为非线性电路会产生信号和噪声的频率变换，噪声系数不能反映系统的附加噪声性能。 若设线性网络的功率增益： 则噪声系数可以改写为： 式中： 表示输入噪声经电路后在输出端所得的噪声功率。 上式表明，噪声系数仅与输出端的两个噪声功率 、 有关，而与输入信号大小无关。 * 3.5.2 噪声系数 而线性网络输出端的总噪声功率 应等于 和线性网络本身的噪声在输出端产生的噪声功率 之和，即： 所以噪声系数可改写成： 由上式可以看出噪声系数与电路内部噪声有关。 * 3.5.2 噪声系数 由上式可以得出下述结论： （1）当线性网络本身不产生噪声，即 时， ，故为无噪声的理性网络。 （2）线性网络本身产生的噪声 越大，噪声系数 越大。 （3）线性网络的功率增益 越大，噪声系数 越小。 这说明为了降低网络的噪声系数应设法增大线性网络的功率增益。 * 3、额定功率时的噪声系数 为了计算和测量的方便，噪声系数也可以用额定功率（Rated Power）和额定功率增益的关系来定义。 所谓的额定功率是指信号源所能输出的最大功率。网络的额定功率如图3.5.5所示。 在图3.5.5中，当信