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回 顾 小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 5.半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 一. 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 二. 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 二极管的结构示意图 三. 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (c)平面型 二极管的结构示意图 阴极 引线 阳极 引线 P N P 型支持衬底 四. 二极管的图形符号 二极管的符号 k阴极 阳极a 半导体二极管图片 * * * * * * 第6章 模拟电路 第6章 模拟电路 专题一 半导体器件 6.1.1 半导体二极管 6.1.2 半导体三极管 专题二 交流放大电路 6.2.1基本交流放大电路 6.2.2 多级放大电路 6.2.3 放大电路中的负反馈 专题三 运算放大器 半导体器件是现代电子电路的重要组成部分。掌握：二极管、三极管的外特性及主要参数的 物理意义 理解：PN结 、二极管的单向导电性、稳压管的压作用 了解：二极管的选用原则 半导体基础知识之一： 二极管 问题引入： 同学们回顾一下自己所学的知识，了解导体吗？了解绝缘体吗？知道硅和锗，磷和硼在元素周期表中是几价的元素吗？ 1. 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导 体：ρ10－4Ω·cm 绝缘体：ρ109Ω·cm 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。 2. 半导体的晶体结构 典型的元素半导体有硅Si和锗Ge ，此外，还有化合物半导体砷化镓GaAs等。 半导体的导电性能是由其原子结构决定的，就元素半导体硅和锗而言，其原子序数分别为14和32，但它们有一个共同的特点：即原子最外层的电子（价电子）数均为4，其原子结构和晶体结构如所示。 3.本征半导体 本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。（其示意结构图如下） 本征激发(热激发）:受温度、光照等环境因素的影响，半导体共价键中的价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子的现象，称之为本征激发（热激发） 电子空穴对：由本征激发（热激发）而产生的自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空穴对。 空穴：共价键中的空位。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 载流子：能够参与导电的带电粒子。 空白半导体中载流子的移动 ：空穴可以看成是一个带正电的粒子，和自由电子一样，可以在晶体中自由移动，在外加电场下，形成定向运动，从而产生电流。所以，在半导体中具有两种载流子：自由电子和空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 复合运动 4.杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中参入微量的杂质形成的半导体。根据参杂元素的性质，杂质半导体分为P型（空穴型）半导体和N型（电子型）半导体。由于参杂的影响，会使半导体的导电性能发生显著的改变。通常惨入的杂质是三价的硼元素和五价的磷元素。 ：在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 P型半导体 多子与少子：P型半导体在产生空穴的同时，并不产生新的自由电子，所以控制参杂的浓度，便可控制空穴的数量。在P型半导体中，空穴的浓度远大于自由电子的浓度，称之为多数载流子，简称多子；而自由电子为少数载流子，简称少子。 ：既然P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，所以，P型半导体带正电。此说法正确吗？ 思考题 ：在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 N型半导体 在N型半导体中，自由电子为多数载流子，而空穴为少数载流子。 杂质半导体的示意表示法： － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P(空穴) 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + +