InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法刘超魏志鹏.pdf

InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法 刘超 魏志鹏 安宁 何斌太 刘鹏程 刘国军 CalculationmethodsofInGaAsSbquaternaryalloybandgap LiuChao WeiZhi-Peng AnNing HeBin-Tai LiuPeng-Cheng Liu Guo-Jun 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,248102(2014) DOI: 10.7498/aps.63.248102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.63.248102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2014/V63/I24 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 互注入垂直腔表面发射激光器的多次偏振转换特性研究 Multiplepolarizationswitchinginmutuallycoupledvertical-cavity surface emitting lasers 物理学报.2015,64(2): 024208 /10.7498/aps.64.024208 基于外光注入互耦合垂直腔面发射激光器的混沌随机特性研究 Chaoticrandomnessofmutuallycoupledvertical-cavitysurface-emitting laser by optical injection 物理学报.2015,64(2): 024209 /10.7498/aps.64.024209 基于次谐波调制光注入半导体激光器获取窄线宽微波信号的实验研究 Acquiring narrow linewidth microwave signals based on an optical injection semiconductor laser under subharmonicmicrowavemodulation 物理学报.2014,63(24): 244204 /10.7498/aps.63.244204 氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究 Optimizationoftheparametersforgrowthhigh-qulityGaN film by hydride vaporphase epitaxy 物理学报.2013,62(20): 208101 /10.7498/aps.62.208101 无序双层六角氮化硼量子薄膜的电子性质 Electronicpropertiesofdisorderedbilayerhexagonalboron nitride quantum films 物理学报.2012,61(17): 178101 /10.7498/aps.61.178101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 24 (2014) 248102 InGaAsSb 四元合金材料禁带宽度的计算方法 刘超 魏志鹏 安宁 何斌太 刘鹏程 刘国军 (长春理工大学, 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022) ( 2014 年6 月6 日收到; 2014 年8 月17 日收到修改稿) 讨论了计算InGaAsSb 四元合金材料禁带宽度常用的Glisson 方法和Moon 方法, 比较了它们的计算结 果. 将两者化成相同形式下的等价公式后发现, 二者都只考虑了 点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响. 通过 考虑自旋轨道分裂带对价带的影响, 提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算InGaAsSb 禁带宽度的新 方法. 研究结果表明, 该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法. 关键词: InGaAsSb, 禁带宽度, 弯曲因子 PACS: 81.05.Ea, 42.55.Px, 81.15.Hi DOI: 10.7498/aps.63.248102 入相关的三元材料再用插值法得到四元材料禁带 1 引 言