LP1000芯片使用说明.pdf

晶能光电晶能光电 （江西（江西）有限公司）有限公司 晶能光电晶能光电 （（江西江西））有限公司有限公司 LatticePower （（Jiangxi ））Corperation （（ ）） LP1000LP1000 芯片使用说明芯片使用说明 LP1000LP1000 芯片使用说明芯片使用说明 这份使用说明让客户对本型号芯片具有初步的了解，并根据芯片结构特性为客户使 用提供必要的操作建议 芯片结构说明芯片结构说明 芯片结构说明芯片结构说明 本型号芯片横截面如图 1。 本型号芯片为 Si 衬底 GaN 基垂直结构产品，上表面N电极材料为 Au（极性为负）， 芯片底部接触层材料即 P 电极为 Au（极性为正），可用导电银胶或锡膏进行固晶； InGaN 层和 Si 基板层都是易碎材料，因此芯片在操作过程应尽可能谨慎，避免过大 应力作用于芯片上，也应避免使用尖锐的硬质工具对芯片进行作业，以防损坏芯片； 请勿将粘性膜或胶类接触芯片表面，否则芯片表面被污染会降低芯片出光效率，甚 至污染灌封硅胶，导致固化不良。 Au 焊线电极 （N 极） 钝化层 GaN 粘结金属层 200um Si 基板 Au 接触层 （P 极） 图 1 芯片固晶作业芯片固晶作业 芯片固晶作业芯片固晶作业 自动设备固晶要点自动设备固晶要点 自动设备固晶要点自动设备固晶要点 1. 为避免 LED 芯片可能发生的 ESD 损伤，在撕蓝膜以及离心膜过程中，请使用离子 风扇进行作业； 2. LED 芯片的厚度为 200um，银胶 （或锡膏）不可过高，否则可能会导致短路，也 晶能光电 Page 1 晶能光电晶能光电 （江西（江西）有限公司）有限公司 晶能光电晶能光电 （（江西江西））有限公司有限公司 LatticePower （