OH在Si100面上的吸附与脱附作用机理.pdf

第３７卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１ 　 ２００７年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２００７ 　　　　　　 － ＯＨ 在 Ｓｉ（１００）面上的吸附与脱附作用机理 齐　齐　 王育乔　 宋坤忠　 王　涓　 孙岳明 （东南大学化学化工学院，南京２１１１８９） － 摘要：利用高斯９８中的ＨａｒｔｒｅｅＦｏｃｋ（ＨＦ）方法研究了ＯＨ 与Ｓｉ（１００）面的吸附和脱附作用机 － 理，计算了ＯＨ 在Ｓｉ（１００）面三种（顶位，桥位，穴位）典型吸附位的吸附反应势能曲线，在每个 － － 吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了ＯＨ 垂直进攻和倾斜进攻．结果表明：ＯＨ 在进攻三种吸附位时的活化能为零，顶位倾斜吸附最稳定，穴位吸附最不稳定．在顶位倾斜吸附 － 位上Ｓｉ原子被ＯＨ 拉出的反应活化能为１０１ｅＶ，整个吸附脱附过程的活化能为３２９ｅＶ． 关键词：硅；腐蚀；吸附；势能曲线；ＨａｒｔｒｅｅＦｏｃｋ 中图分类号：Ｏ６４１　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２００７）０１０１４１０３ － ＯＨ ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎａｎｄｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｎＳｉ（１００）ｓｕｒｆａｃｅ ＱｉＱｉ　ＷａｎｇＹｕｑｉａｏ　ＳｏｎｇＫｕｎｚｈｏｎｇ　 ＷａｎｇＪｕａｎ　ＳｕｎＹｕｅｍｉｎｇ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１１１８９，Ｃｈｉｎａ） － Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｄｓｏｒｐｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｏｆＯＨ ｏｎＳｉ（１００）ｓｕｒｆａｃｅｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄｕｓｉｎｇ － ＨａｒｔｒｅｅＦｏｃｋｍｏｄｕｌｅｉｎＧａｕｓｓｉａｎ９８ｐａｃｋａｇｅ．ＩｎｔｈｅｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎＯＨ ａｔｔａｃｋｓｉｎｄｉｒｅｃｔａｎｄｔｉｌｔｅｄｗａｙ ａｔｔｈｒｅｅｐｏｓｓｉｂｌｅｐｏｓｉｔｉｏｎｓ（ｔｏｐ，ｂｒｉｄｇｅ，ｈｏｌｌｏｗ）ｏｎＳｉ（１００）ｓｕｒｆａｃｅ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅ，ａｔｅｖｅｒｙｓｐｅｃｉｆｉｅｄ ｓｉｔｅｉｔｉｓｋｅｐｔｉｎｔｈｅｌｅａｓｔｓｔｅｒｉｃｈｉｎｄｒａｎｃｅａｎｄｉｎｔｈｅｍｏｓｔｆａｖｏｒａｂｌｅｂｏｎｄｅｄｄｉｒｅｃｔｉｏｎ．Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ ｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｍｏｓｔｆａｖｏｒａｂｌｅｐｏｓｉｔｉｏｎｉｓｔｈｅｔｏｐｓｉｌｔｅｄｓｉｔｅ，ｔｈｅｌａｓｔｉｓｔｈｅｈｏｌｌｏｗｓｉｔｅ．Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓｏｆ － ｔｈｅｒｅａｃｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙｃｕｒｖｅｓｏｆｔｈｅａｔｔａｃｋｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｏｆＯＨ ｔｏｗａｒｄｓＳｉ（１００）ｓｕｒｆａｃｅｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅａｃ ｔｉｖａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙｉｓａｂｏｕｔ０，ａｎｄｔｈｅａｃｔｉｖａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙｆｏｒｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆａｓｉｎｇｌｅＳｉａｔｏｍｂｅｉｎｇｐｕｌｌｅｄ ａｗａｙｆｒｏｍｔｈｅｔｏｐｔｉｌｔｅｄｓｉｔｅｂｙＯＨ－ｉｓａｂｏｕｔ１０１ｅＶ，ａｎｄｔｈｅａｃｔｉｖａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙｏｆｔｈｅｗｈｏｌｅ ｐｒｏｃｅｓｓｃｏｎｔａｉｎｉｎｇａｄｓｏｒｐｔｉｏｎａｎｄｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎｉｓ