半导体器件!.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， % ! $### ! =,%;=,!?@ $### A ／ ／ （ ）／ ###(0$#$###%#! 00(#% 6-26789+:-6+:;:-6 $###-B3C,7BD,+=E, A !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 金属 氧化物 半导体器件 辐照温度效应 ! ! ! 王剑屏 徐娜军 张廷庆 汤华莲 刘家璐 刘传洋 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 ） !##! 姚育娟 彭宏论 何宝平 张正选 （西北核技术研究所，西安 ） !##$% （ 年 月 日收到） ’ 研究了金属 氧化物 半导体（ ）器件在 射线辐照条件下的温度效应 采用加固的 进行辐照实验， ( ( )*+ ! , --%##! 在不同温度、不同偏压，以及不同退火条件下对 器件的辐照效应进行了比较，发现温度对辐照效应的影响主 )*+ 要是决定界面态建立的快慢 高温下辐照的器件，界面态建立的时间缩短 根据实验结果对器件阈值电压漂移的机 , , 理进行了探讨, 关键词：金属 氧化物 半导体场效应，辐射效应，阈值电压漂移 ( ( ： ， ， #$$ .’#/ !0%#1 !0%#2 压的漂移，反向电流的增大，迁移率和跨导的降低 引 言 等，从而引起集成电路产品性能的下降, ［— ］ 已有很多研究表明$ % ， 器件的辐照效应 )*+ 随着数字集成电路日益广泛的应用，金属 氧化 受到辐照总剂量、辐照剂量率、器件偏置条件、辐照 ( 物 半导体（ ）器件和 集成电路在军事、航 温度、器件氧化层工艺等多种条件的影响，其中辐照 ( )*+ )*+ 天、核技术等特殊环境下应用也越来越多 在这些环 总剂量效应对器件的影响最为显著 在同样的总剂 ,