核辐射探测第四章半导体探测器教材教学课件.pptVIP

第四章 半导体探测器; 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。;半导体探测器的特点：;4.1 半导体的基本性质;2) 杂质半导体;4)受主杂质(Acceptor impurities)与受主能级;Doping with valence 5 atoms;2、载流子浓度和补偿效应;3) 电阻率与载流子寿命;4.2 P-N结半导体探测器;(2) P-N结内的电流 ;(3) 外加电场下的P-N结： ;2) P-N结半导体探测器的特点 ;电场为非均匀电场：;(2) 结区宽度与外加电压的关系;(3) 结区宽度的限制因素;2、P-N结半导体探测器的类型;3、半导体探测器的输出信号;;2) 输出信号;但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容 随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使 h 发生附加的涨落， 不利于能谱的测量；为解决该矛盾，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证 C入 Cd ，而 C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若反馈电容和反馈电阻为Cf和Rf，则输出脉冲幅度为：;3) 载流子收集时间;4、主要性能;能量分辨率可用FWHM表示：;(2)