光电显示-06 第七章 常用液晶显示器参考.ppt

* （2）涂胶与曝光 光学曝光有三种方法：接触式、接近式、投影式 涂胶是将光刻胶涂覆到ITO玻璃表面的过程；初期大多采用旋转涂胶法，但现在TN-LCD、STN-LCD采用的大多是滚轮涂胶方式。 优缺点：旋转涂胶方式的膜厚均匀性好，但生产效率低，材料消耗也较大；滚轮涂胶生产率高，也能够满足TN-LCD、STN-LCD对膜层均匀性的要求。 * 接触式曝光：由于掩膜与基片紧密接触，可以达到很高的分辨率，在0.5μm厚的正性胶上曝光1μm的图形很容易实现，但缺点是有灰尘及污染转移问题，掩膜版易损伤； 无源LCD在ITO图形制备中曝光采用的方式多为接近式 一般CSTN、STN线间隙在50μm以下 投影式曝光：避免了掩膜版的损伤，但为了达到高的分辨率掩膜版上图形的像只有一小部分被投影到片子上，对于大的基片需要扫描和分步重复曝光； 接近式曝光：在掩膜版和基片之间有一个小的间隙，可以把掩膜版的损伤降低，接近曝光理论上在间隙足够小时，在菲涅尔衍射范围内工作，其分辨率与λg成正比（g为间隙，一般为2-4μm）； * （3）显影、刻蚀、剥离 显影：利用经一定能量UV光照射的正性光刻胶更容易溶于碱性溶剂的特点将经UV光照射过的部分光刻胶溶去； 刻蚀：利用ITO膜溶于有些化学物质的特性将没有光刻胶保护的ITO膜刻蚀掉（为提高其附着力需要将显影后的基片加热进行坚膜）。 剥离：再利用浓度较大的碱溶液将留在基片的光刻胶溶解， 用水冲掉碱液后，光刻ITO的工艺即完成。 * （4）光刻中使用的主要材料特性 光致刻蚀剂（光刻胶）：光致刻蚀剂分为正负性两种，负性抗蚀剂分辨率一般较差，但灵敏度较高，LCD光刻中一般使用的为正性刻蚀剂。 ITO玻璃：无源LCD使用的ITO一般为碱玻璃。 解决方案：该类玻璃用于无源TN-LCD、STN-LCD时，需要在玻璃表面镀上一层SiO2膜。 存在问题：碱玻璃成分中含有钙钠离子，进入液晶会导致LCD品质下降。 导电层厚度通常在几十到几百纳米，其作用是形成电极引线和图形，玻璃厚度通常在0.3~1.1mm之间 * （5）光刻技术中需要特别注意的几个环节 曝光时的强度均匀性、平行度 膜厚的均匀度和附着力 接近式曝光间隙的控制 高分辨率图形曝光区域温度控制 喷淋压力、温度控制 结果控制，图形变形量，图形边缘陡直情况，合格率 * 3.分子排列技术 （1）排列技术基础及进程 定向膜取向法：将PVA或PI涂覆在ITO玻璃表面，再使用摩法对表面进行摩擦处理。 在定向膜上摩擦形成摩擦取向，一般有两种解释： A沟槽效应：认为摩擦造成机械上的沟槽，液晶分子只有顺着沟槽方向排列，其形变自由能最小； B取向层定向效应：在摩擦作用下聚合物分子重新排列而变成有序排列，LC分子在范德华力或极性力的作用下顺着聚合物分子排列。 * （2）PI膜的形成与摩擦——分子排列技术的两个关键过程 定向PI膜的形成方法——凸版印刷法 目前世界上两大设备厂家：日本的NAKAN和日本写真 原理和纸张印刷很相似 * 摩擦是用贴覆在滚轮上的尼龙或者棉织绒毛在高速旋转下对PI膜表面按一定方向摩擦的过程，摩擦的强弱均匀一致性对LCD的特性有重要影响。 * 4.成盒技术 盒厚均匀性以及盒密封的可靠性对器件的性能有着重要的影响，尤其是对STN-LCD，盒厚均匀性不好直接导致液晶屏底色不一致和显示效果不一致。 * （1）传统的真空注入法 5.液晶注入技术 （2）液晶滴下法 先抽真空除气，然后再利用毛细管虹吸现象注入液晶；当LC上到一定高度后，再对箱内充入干燥氮气，利用压差将空盒注满液晶。 将划胶、贴盒、固化、LC注入、封口5个工艺过程改变为划胶、LC滴入、真空贴合、UV固化这样的简单过程。一个大尺寸屏用原来真空注入方法如果需要二十几个小时以上，采用液晶滴下注入方式完成过程只需要十几分钟；技术要求很高，工艺难度很大。 * 6.模式设计技术 包括模式确定、材料选择、工艺参数选择 （3）光刻胶或其他工艺材料：如无特殊要求选择通用材料； （1）模式的确定：根据产品的要求，客户要求入显示信息量，驱动占空比等信息确定模式； （2）ITO玻璃的选择：厚度依据产品或客户要求而定，大小规格依生产线而定； （4）PI材料及工艺的选择：根据模式确定所需要的预倾角等参数和生产线情况来选定PI的型号和固化条件。 * （7）封接压力确定：与胶框面积及com点面积及使用银浆、金球种类及材料厂家相关。 （5）摩擦密度及压入量：TN-LCD摩擦密度可选择小一些，而STN-LCD产品一般密度要达到200以上，压入量则视摩擦布毛质与PI特性而定，一般选择在0.2~0.4 mm之间。 （6）垫衬剂及密度的选择：确定盒厚度后，即可确定盒内衬垫物的大小和密度，一般TN-LCD在50~100粒/mm2，STN-LCD在80~200粒/mm2，边