电力半导体开关器件-2011.pptVIP

电力半导体开关器件 1 概述 2 电力二极管D 3 双极性结型晶体管BJT 4 金属氧化物场效应晶体管MOSFET 5 晶闸管SCR 6 门极关断晶闸管GTO 7 MOS关断晶闸管MTO 8 发射极关断晶闸管ETO 9 集成门极换流晶闸管GCT、IGCT 10 绝缘门极双极性晶体管IGBT 11 MOS控制晶闸管MCT 12 小结 1 概述：机械开关与电力半导体开关器件 电力电子开关器件与机械开关一样，有两种开关状态：通态（等效电阻近似为零），断态（等效电阻近似无限大）。有两种过渡状态：开通，关断。其主要优点是开通关断过程很快，适宜于电力变换和控制，主要缺点是通不全通，断不全断，因而通态损耗大，断路时不能隔离电路。 1 概述：电力半导体开关器件的重要性 FACTS应用要求：三相交流，几十至几百MVA； 现有电力半导体开关器件水平：1～5kA、5～10kV、0～50MVA，器件利用率25～50％； 系统、装置、组件、管阀、元器件； 大功率AC/DC、DC/AC变换器或交流开关均由大量电力半导体开关器件串、并联构成； 模块化、标准化，可靠性、冗余、分步投资； 电力半导体开关器件的耐量、特性和应用严重影响FACTS控制器的造价、性能、大小、重量、损耗。 1 概述：电力半导体开关器件的分类 可控性：不控、半控和全控器件； 物理本质：二极管、晶体管和晶闸管系列。 二极管：阳极、阴极，双层结构，单向导通能力，正向开通、反向关断， D ； 晶体管：集电极、发射极、基极，三层结构，开关速度快、开关损耗小， BJT、IGBT、MOSFET ； 晶闸管：阳极、阴极、门极，四层结构，半控、全控器件，对称、不对称器件，通态损耗小、功率处理能力强，SCR、GTO、MTO、ETO、IGCT、MCT。 1 概述：电力晶闸管系列 SCR： GE发明，硅控整流器，PNPN正反馈原理， 现称晶闸管，可控开通、不控关断，通态压降1.5～3V，ms级恢复时间，便宜、可靠、耐量大，HVDC、FACTS应用广泛，器件主力军； GTO：GE发明，可控开通、可控关断，门极驱动复杂、驱动功率较大，关断慢、缓冲代价高，FACTS应用广泛； MTO：SPCO发明，MOS管辅助关断，关断快、关断损耗小，FACTS应用潜力； ETO：VPEC＋SPCO发明，低压MOS管和高压GTO串联，关断快、关断损耗小； GCT、IGCT：Mitsubishi＋ABB发明，硬关断GTO改进封装，关断快、关断损耗小，FACTS应用潜力； MCT：GE发明，集成MOS结构加快开通和关断过程，开关损耗低、通态损耗小，FACTS应用潜力。 1 概述：典型电力半导体开关器件 1 概述：电力半导体开关器件耐量 高纯单晶硅圆：φ75～125－150mm，半导体，击穿电压2000kV/cm，导电性在金属和绝缘材料之间，掺杂改变电压和电流耐量，125mm晶圆器件电压6000～10000V、电流3000～4000A。 电压耐量：SCR 8～10kV，GTO 5～8kV，IGBT 3～5kV，可用电压大约为阻断电压的一半，高压管阀器件串联，均压问题； 电流耐量：几kA，无需器件并联，均流问题，短路、过流情况，FACTS控制器无熔断器，二极管和晶闸管系列器件过流能力强； VSC：器件可控关断，无反向阻断能力，不对称关断器件（薄、通态压降低、开关损耗小、正向耐压高），反并联旁路二极管（反向漏电流小）； CSC：需要反向电压承受能力，可用二极管与不对称关断器件串联。 1 概述：电力半导体开关器件损耗和效率 通态压降和通态损耗：热设计，损耗通过冷却媒快速散热； 开关速度：关断过程，du/dt高；开通过程，di/dt高，需要缓冲电路； 开关损耗：开通、关断过程产生开关损耗，常超过通态损耗，是PWM变换器的主要损耗； 门极驱动功率：电流触发、电压触发，辅助电源功率经常超过器件损耗； 损耗价格$1000～5000/kW，FACTS控制器效率≥98％，变换器管阀损耗≤1％，经济性要求； 损耗对器件的封装和冷却影响大，晶圆正常工作温度＜100℃。 1 概述：电力半导体开关器件参数折衷 电压、电流能力； 门极驱动功率； du/dt、di/dt能力； 开通、关断时间； 开通、关断能力； 特性的一致性； 原始单晶硅质量； 生产环境等级； 美国ONR的PEBB计划。 1 概述：电力半导体开关器件材料 器件生产过程：高纯单晶硅，几m长，直径≤150mm，飘浮炉生长，切片后变成晶圆，晶圆经掺杂、中子辐射、高温扩散、激光切割、蚀刻、绝缘和封装一系列复杂工艺后变为成品电力半导体开关器件； 半导体物理：硅原子（4个电子）；磷原子（5个电子），轻度掺杂n－，重度掺杂n＋；硼原子（3个电子）