[基础科学]磁控溅射薄膜生长的等离子体发射光谱研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 33 6 %$$# 6 ， ， ， HN 033 TN 0 6 .DADUE %$$# （ ） $$$8%I$,%$$#,33 $6 ,’%%8$# .KJ. OPQRSK. RSTSK. #%$$# K@;) 0 O@U 0 RNG 0 ############################################################### 磁控溅射!# 薄膜生长的等离子体发射光谱研究! 李 勇 孙成伟 刘志文 张庆瑜! （大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$# %’ %$$# %% 通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱，研究了制备 ()* 薄膜的沉积温度、氧气流量比例 （ ）对 和 原子发射光谱的影响，并结合 薄膜的结构和物理性能，探讨了沉积温度在 薄膜 ! + * , * - ./ () * ()* ()* % % 生长中的作用 研究结果显示：当 时， 的溅射产额随 的增加基本呈线性下降规律 当 介于 — 0 ! $ 123 4 () ! 0 ! $ 4 时，氧含量的变化相对平缓，有利于 薄膜生长的稳定性控制 原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以 3$ 4 ()* 0 () 分为三个阶段 当沉积温度低于 时，发射光谱强度基本保持不变；当沉积温度介于 — 时，光谱强度 0 %3$ 5 %3$ 33$ 5 随沉积温度的增加呈线性增加的趋势；当沉积温度大于 以后，光谱强度随沉积温度的增加而迅速增加 通过 33$ 5 0 沉积温度的控制可以实现满足或接近化学计量配比的()* 薄膜的生长，适合高质量 ()* 薄膜沉积的温度介于 — ， 下沉积的 薄膜具有比较低的缺陷密度和明显的室温紫外光致荧光发射 #3$ 6$$ 5 23$ 5 ()* 0 关键词： ，薄膜生长，反应磁控溅射，等离子体发射光谱 ()* ： ， ， $% 2%6$7 #633 2633 高质量的()* 薄膜具有十分重要的意义0 1 引 言 反