陶瓷前驱体热解制备SiC纳米线工艺规律及微观结构表征毕业设计开题报告教案.docVIP

毕业设计(论文)开题报告 题目：陶瓷前驱体热解制备SiC纳米线工艺规律及微观结构表征 院 系 专 业 班 级 姓 名 学 号 导 师 毕业设计（论文）综述（题目背景、研究意义及国内外相关研究情况） 1.1选题背景 SiC 具有宽带隙、 高临界击穿电压、 高热导率、 高载流子饱和漂移速度等特点, 可应用于高温、 高频、 大功率、 光电子和抗辐射器件。近年来的研究表明, SiC 还具有较好的光学及电学特性, 可应用于构造纳米器件方面。 SiC 纳米线具有很好的场发射、 强烈的蓝光 PL发射等电学性能, 在高温、 高能及高频纳米电子器件方面具有潜在的应用前景。根据金属催化气液固生长机理, 不同形态的一维纳米材料均可制备。以不同的碳源及硅源为原料, 在金属催化作用下通过CVD、 热蒸发等方法可实现 SiC 纳米线的制备。虽然金属催化方法易制得 SiC 纳米线, 但因所得样品需经一定的后处理, 故也有人研究不采用金属催化剂而直接制备 SiC 纳米线。根据目前文献, SiC 纳米线所用催化剂通常为 Fe、 Ni、 Al 及 Na 等。 SiC纳米线