近现代物理试验光电材料和器件.doc

《光电材料和器件实验》教学大纲 课程编号总学时数：34 总学分数：1 课程性质：选修 适用专业：应用物理 课程的任务和基本要求 该课程是一门与讲授课程同样重要的独立课程.课程内容涉及光电材料的结构表征、特性测试、制备方法和相关器件的应用制备。通过该课程教学,可培养学生独立思考、分析问题、解决问题的能力,同时培养促进知识创新和拓展的能力. 本课程教学要求: 预习：这是实验前的课前准备阶段。根据实验目的，学习指导书中的实验原理和书本的有关内容，参考指导书中的实验方法，拟出实验方案，列出实验步骤，画好实验数据的记录表格。 实验：首先按照实验方案选取安装与调整仪器及部件，这是实验的关键。实验过程中必须认真观察现象，及时发现问题、解决问题。测试时记录原始数据，若有可疑之处，须反复调试，发现其规律。 撰写实验报告：撰写实验报告也是一种实验能力和科学总结能力的培养，其内容应包括： 实验题目和实验目的 实验原理：包括实验的理论根据，必要的公式及原理图 实验装置：包括实验装置布置，测试仪器和测试物 实验步骤：主要写出实验测试方法，调试过程和发现的现象。特别鼓励捕捉新的实验现象。 数据处理：包括实验数据分析、计算、列表 结论和讨论：总结实验已达到的目的，讨论测量误差，并分析观察到的实验现象，得出科学的结论 解答思考题：应从实验的观点来回答，不能单从理论上回答。 二、基本内容和要求：（详见附后表格） 三、教学时数分配： 做8个实验，每个实验4课时，合计32课时，机动或考核2学时。 四、有关说明 1、本大纲中所有实验中均含有综合性内容 2、教学和考核方式：平时操作加笔试 3、与其他课程和教学环节的联系 先修课程和教学环节： 近现代物理实验（基础部分），材料物理，半导体材料物理，薄膜生长，半导体器件物理，半导体制造技术 4、教材和主要参考书 （1）教材:自编 （2）主要参考书： ①《新型电子薄膜材料》 陈光华 编著 化学工业出版社 ②《信息材料》 主编 化学工业出版社 ③《半导体器件物理与工艺》 [美] 施敏 著 苏州大学出版社 ④《薄膜生长》 科学出版社 附表: 本课程实验项目表（从下表中选做8个） 序号 实验项目名称 时数 必修\选修 实验类型 每组人数 实验目的及要求 1 高温CVD法制备硅纳米线 4 选修 综合 4 理解并掌握化学气相沉积制备低维材料的原理和技术要点； 掌握本实验室CVD设备的构造，工作原理和操作流程； 掌握硅纳米线生长机理并学会用CVD方法制备该材料。 2 ZnO纳米线制备 4 选修 综合 4 掌握ZnO材料的结构，光学性能等特点； 2．掌握用热氧化法制备ZnO纳米线的实验原理； 学会热氧化炉使用方法并用来制备ZnO纳米线。 3 磁控溅射方法制备Cu薄膜 4 选修 综合 4 1．理解掌握磁控溅射方法制备薄膜材料的原理，制备导电材料和绝缘材料方法特点； 2．掌握磁控溅射设备的构造，工作原理和操作流程，熟练设备使用方法； 学会用磁控溅射设备制备导电材料Cu薄膜。 4 薄膜设计与制备 4 选修 综合 4 在掌握用磁控溅射设备制备材料基础上，对材料性能进行设计，按照自己的实验设计方案进行实验； 增强学生的创新能力和动手实践能力； 3． 要求学生分组制定可行性实验方案，设计材料结构，并在实验中加以实现。 5 原子力显微镜表征纳米材料结构性能 4 选修 综合 4 1．掌握原子力显微镜工作原理，在材料性能测试中的特点； 2．掌握原子力显微镜的结构，操作步骤，学会测试材料形貌的方法； 3．学会对不同材料形貌进行测试分析，对提供的样品能够进行正确的测试和分析。 6 半导体工艺基础（1） 4 选修 综合 4 1．掌握精确控制薄氧化膜厚度的生长方法； 2．制备二氧化硅膜； 3．制备氮化硅膜； 4．掌握金属化工艺。 7 半导体工艺基础（2） 4 选修 综合 4 掌握图形曝光的基本原理； 掌握光刻机的使用方法； 掌握投影曝光的图象划分技术； 掌握图案转移技术和方法； 二氧化硅的干法和湿法腐蚀。 8 ICP化学气相沉积法制备薄膜刻蚀薄膜方法 4 选修 综合 4 了解ICP等离子体形成机理； 学会ICP制备薄膜的基本工艺过程； 学会ICP刻蚀的基本工艺过程。 9 ICP化学气相沉积法制备纳米硅薄膜 4 选修 综合 4 熟悉纳米硅形成的化学动力学过程； 研究沉积功率、衬底温度对薄膜微结构的影响； 研究沉积气压对薄膜微结构的影响。 10 ICP系统刻蚀实验 4 选修 综合 4 掌握感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机的基本原理和使用方法； 分别改变源气体流量比、源功率、自偏压、刻蚀时间来研究其对SiO2刻蚀速