[计算机]NF4 BIOS Memory 操作指南.doc

如何进一步理解 ”时间参数” 怎样影响记忆性能， 你应该了解有关现代随机存取储存器(RAM)的一切。 RAM Timming下面的图表将给你它怎样工作的概述。 AMD A64 CPU 包含了记忆控制单元，控制单元地址可以正确的存取 内存 芯片。 而此控制单元是透过列和排的寻址找到每个交叉点即代表一个记忆数据。 最佳化时间参数将加速进入内存的过程。 存储器控制器首先确定它打算处理的储存数据的Row地址，定Row地址所花费的时间称为tRCD； 接下来定Column地址所发费的时间称为tCL。 在等待tRAS 和tRP之后即完成一个地址的数据储存，然后重复以上过程就可以完成资料的存取。 这是来自Corsair的一个RAM 的在线多媒体解释︰ /memory...3707/index.html 以下是一个非常简短的解释 在你开始之前，这里是一张我制作用以帮助你超频(或只是在nF4主机板上稳定?#092;作的设定)的空白窗体， 这窗体应该可以适用在nF4的所有版本，这个点子是从masterwoot那得来的，我修改并制作一个更新的版本，谢谢masterwood! 如果要用IE浏览器顺利印出此窗体，请将页面设定为左右两边的留白区为0.5吋 在你打印前----请设定为画像模式，计算机可能需要几秒钟的时间做存取… NF4 Memory Voltages Bios Settings Chart Additional Information on TCCD A great Guide for TCCD memory only: Kakarotos TCCD Memory Guide NForce4系列产品 内存最佳化设定指南 : Dram Frequency Set(Mhz) Settings = 100(Mhz)(1/02), 120(Mhz)(3/05), 133(Mhz)(2/03), 140(Mhz)(7/10), 150(Mhz)(3/04), 166(Mhz)(5/06), 180(Mhz)(9/10), 200(Mhz)(1/01) 这是你的 “Divider” 设定-----大部份的用户主张FSB 与Memclock 以同步(1:1)的方式执行，通常使用此方式 ”超频”将会得到最好的效能(必须拥有较强的RAM)，但是有另外一种方式可以允许你使用较弱的RAM然后得到更高的CPU超频，称之为异步处理，此时内存频率(memclock)必须透过一个分配器计算你的记忆速度。 例如1/01的比率(同步) ----内存频率(Memclock)简单公式 ：(HTT)x 2 FSB，如果FSB(HTT)跑 240MHz 则DDR速度实际上将是DDR480。 以下表格是异步处理时，以分配器计算Memclock 的实例： 关于频宽的大影响 ----如果使用更便宜的RAM，在1︰1设定时能用来提供稳定性 我们建议值为︰ 200MHz(1/01) Command Per Clock(CPC) Settings: Auto, Enable(1T), Disable(2T) Command Per Clock(CPC)也称之为 Command Rate. 系统在搭配 2支512MB的内存时最好将 CPC 设定为 Disable(2T)才能得到比较好的稳定性，而 CPC 的设定值对于 效能/稳定性 影响很大。 CPC 的设定特征是允许你在单一数据存取的延迟选择，信号在内存控制器开始把命令送到内存的时间。 设定值愈低记忆控制单元能送到外部内存的命令就越快。 当 CPC设定为Enable时，记忆控制器读写一次数据花费一个频率周期或者1T的命令延迟。 当 CPC设定为Disable时，记忆控制器读写一次数据发费两个时钟周期或者2T的命令延迟。设定为 Auto时允许记忆控制单元命令延迟使用记忆模件的SPD内定值。 如果SDRAM 命令延迟太长，内存存取将会因等待发布命令的时间太长而降低效能。 但是， 如果SDRAM 命令延迟太短， 记忆控制器来不及翻译地址及存取结果将引起数据损失和无效命令。 我们在此建议你为了更好的内存效能，试着将SDRAM 1T的指令设为enable. 但是如果你面临稳定性问题，则必须将SDRAM 1T的指令设定为Disable 2T。我们 建议设定︰ 每当内存够强，使1T成为可能 CAS Latency Control(tCL) Settings = Auto, 1, 1.5, 2, 2.5 3, 3.5, 4, 4.5. 这是随机存起内存公司第一个会拿来做评比的时间参数， 例如，你可能看见RAM 被评为3-4-4 -8 @ 275mhz。第一的设定