固态电子论-第三章习题参考解答.pptx

第三章 半导体中的电子状态 半导体中的杂质----解答参考 第1题 半导体中电子有效质量的定义 式中 是能带极值（极大值或者极小值）对应的波矢。 电子有效质量的意义 概括了周期场对电子的作用，使外场下能带电子的运动，可用服从牛顿运动定律、具有有效质量 的“赝电子”来描述。 具体说明如下：外电场下，能带电子受到的作用力，牛顿运动方程，写成能量增量形式， 在能带顶， ，周期势场对电子作负功，电子传递给晶格的能量大于外场力对电子的作功。 在能带底， ，周期场对电子作正功，电子从晶格得到能量。 当电子从外场力获得的能带全部传递给晶格时，电子平均速度等于常数，外场力与周期势场力大小相等、方向相反，电子有效质量趋于无限大。 第2题 空穴的定义 引进空穴概念的意义 将能带中数量庞大的电子的导电行为用少量的空穴导电行为来等效，使得在描述半导体价带电子导电规律时更加简单明了。　电场作用下，在缺少1个电子的能带中，剩余的（2N-1）个电子对电流的贡献等效为1个带正电子电量、具有正的电子有效质量的空量子态的贡献，这个可以在电场下自由运动的空量子态称为空穴。 第3题 以半导体硅为例说明如下：顶角硅原子绝对零度下，硅半导体正四面体结构单元、二维晶格、能带示意图， 空带（导带）中心硅原子 2N个电子态禁带共价键电子对 满带（价带） 2N个电子态 绝对零度以上，部分价带电子受到热作用激发到导带，价带中出现空量子态，该空量子态可以被其它共价键上的电子来填充，在该处又出现空量子态，又可以被电子填充。这种空量子态不断被填充的过程，好像是空量子态在不断自由运动，这个空量子态就是空穴。顶角硅原子导带禁带中心硅原子 价带共价键电子对 第4题一个等能面是半导体电子波矢空间中的一个曲面，数学上表示为，是电子波矢空间中的一个点， 是该波矢点对应的能量值。 若电子波矢空间中一些不同的波矢点对应的能量值相同，将这些点连接起来形成一个曲面，这个曲面就称为一个等能面。 引入等能面的意义 是为了更加形象、更加生动的描述半导体电子量子态的分布及其各向异性的性质。 第5题要观察到明显的电子回旋共振吸收峰，必须满足两个基本条件： 1、被测量的半导体样品必须置于极低的温度环境中； 2、给测量的半导体外加一个磁感强度很高的恒定磁场； 3、用频率在微波范围的交变电磁场进行测量； 第6题一、浅能级杂质在半导体中的作用 浅能级杂质的定义——杂质能级离导带底或者价带顶很靠近的杂质。 浅能级杂质在半导体中的主要作用： 1、改变半导体的导电类型（即通过掺不同种类、不同浓度的浅能级杂质，来得到P型半导体（以价带空穴导电为主）或者N型半导体（以导带电子导电为主）。 2、调整半导体导带电子浓度或者价带空穴浓度，控制半导体的导电能力。一、深能级杂质在半导体中的作用 深能级杂质的定义——杂质能级离导带底或者价带顶比较远的杂质。 深能级杂质在半导体中的主要作用： 起到有效复合中心的作用（见第5章内容），控制半导体非平衡载流子的寿命。 第7题以硅半导体中掺金为例说明如下： 金原子具有1个价电子。 如果金（Au）原子将价电子电离出去，则在硅半导体中产生一个深施主能级 ，如下图所示： 如果金（Au）原子获得一个外来电子，则在硅半导体中产生一个深受主能级 ，如下图所示： 第8题（参考第1章倒格子、第2章能带表示的课件）（1） 图3-41是能带图的简约布里渊区表示法。 第Ⅱ能带原本在第二布里渊区，通过移动1个倒格矢 后落入第一布里渊区的。第Ⅲ能带原本在第三布里渊区，通过移动2个倒格矢后落入第一布里渊区。所以，对于第Ⅰ能带的波矢 ，在第Ⅱ能带中则为 ，在第Ⅲ能带中为对于晶格常数为 的一维单原子晶格，倒格矢等于（第一布里渊区的宽度），C根据自由电子能谱，第Ⅲ能带——第N个能带的最小值B第Ⅱ能带得到第Ⅰ能带 的电子能量，A第Ⅰ能带——第Ⅰ个能带的最小值得到第Ⅱ个能带 处的电子能量，——第Ⅱ个能带的最小值得到第Ⅲ个能带 处的电子能量，——第Ⅲ个能带的最小值（2） 由电子有效质量的定义可知，能带宽度越窄，电子有效质量越大，能带宽度越宽，电子有效质量越小。 所以，在波矢量 处，第Ⅰ能带的电子有效质量最大，第Ⅲ能带的电子有效质量最小。（3） 空穴出现在能带顶附近。空穴的有效质量等于， 第Ⅱ能带 处的曲线斜率比第Ⅲ 能带 处的曲线斜率小，所以第Ⅱ能带上空穴的有效质量 比第Ⅲ能带上的电子有效质量 大。（4） 相邻两个能带之间禁带宽度越小，发生电子跃迁所需要的能量越小。 比较得到，第Ⅰ能带与第Ⅱ能带的禁带宽度最小，在 时，能带Ⅰ和能带Ⅱ之间发生电