第2章-双极型晶体三极管和基本放大电路.pptx

第2章 双极型晶体三极管和基本放大电路;双极型晶体管和基本放大电路;重点和难点;; 引出三个电极分别为发射极e 、基极b和集电极c。 ; 基区和集电区形成集电结，发射区和基区形成发射结。 ; 按照掺杂方式的不同分为NPN型和PNP型两种类型。;NPN型晶体三极管;PNP型晶体三极管;晶体管结构示意图;实物照片;1.两个PN结无外加电压 载流子运动处于动平衡，净电流为零。 ;发射结正向偏置 有利于多子扩散 不利于少子漂移 集电结反向偏置 有利于少子漂移 不利于多子扩散 ;发射区多子向基区扩散 发射区的多子电子通过发射结扩散到基区，形成扩散电流IEN； 基区多子向发射区扩散 基区的多子空穴扩散到发射区，形成扩散电流IEP 。 ; e区的电子注入b区后，小部分在b区被复合，大部分仍往c区扩散。 VBB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成 IB’。 ; 注入b区的电子被反向偏置的集电结电场吸引，达到集电区。 发射区发射的总电子数，绝大部分被集电区收集，极少部分在基区与空穴复合。 IE=ICN+IB’ ;3.电流控制作用及其实现条件 集电区收集的电子数与发射区发射电子数的比值定义为?（共基直流电流放大系数） ;实现电流控制的条件 1）晶体管结构上保证：三个浓度不同的掺杂区，基区薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓度高；集电结面积大。 2）外加直流电源保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;ICBO：平衡少子在集电区与基区漂移运动形成的电流。也是发射极开路时，b-c间的反向饱和电流。 IC = ICN+ ICBO IB = IB’- ICBO IE = ICN+ IB’ 从外部看 IE = IC+ IB ;射极为公共端，IB为输入回路电流，IC为输出回路电流; 晶体管工作在放大状态的外部条件是： （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: Ube 0,Ubc 0 即 Uc Ub Ue 对于PNP型三极管应满足:Ube 0,Ubc 0 即 Uc Ub Ue ; 当UCE=0，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似。 当UCE 增大时，由于电场的作用，???线右移，当UCE 增大到一定值后，再增加UCE ，曲线右移将不再明显。 ; 每个确定的IB均有一条对应曲线，输出特性是一族曲线。 对于一条固定的曲线，随着UCE的增加，iC逐渐增加，当UCE增加到一定的程度，iC几乎不变，iC仅仅决定于iB。 ;截止区： IB=0以下的区域 实际上ＩC≤ICEO 发射结电压和集电结都处于反偏状态。 特点： iB = 0，iC≈0 严格说，IB=0，IC≤ICEO，晶体管基本不导电。 ;放大区：曲线几乎水平，ＩC与ＵＣＥ无关，仅仅由IB决定。 特点：ＩC = ? IB 发射结正向偏置 集电结反向偏置 交流共射电流放大系数 通常认为 ;饱和区：此时IB ＞０，UCE 较小。IC不仅和IB有关，还和UCE有关。当UCB =0时，晶体管处于临界饱和状态。 反射结和集电结均处于正向偏置。 此时集电极与发射极之间的电压叫饱和电压降UCES。 ;晶体管的三个工作区域比较;3.温度对晶体管特性及参数的影响 （1）温度对输入特性曲线的影响 温度升高时，正向特性曲线将左移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2—2.5mV。 ;3.温度对晶体管特性及参数的影响 （2）温度对输出特性曲线的影响 温度升高输出特性上移。 温度对ICEO 和ICBO的影响： 每升高10 ℃， ICBO增大一倍， ICEO也是。 温度对?的影响： 温度升高， β增大，每升高1 ℃， β增大0.5 ～1%。 输出特性曲线间距增大。 ;1.直流参数 （1）在不同接法下的电流比 1）直流共基电流系数 一般在0.95?0.995 2）直流共射电流系数 （2）极间反向电流 ;2.交流参数 （1）电流放大系数 （