第3章-场效应晶体管和基本放大电路.pptxVIP

第3章 场效应管和基本放大电路4学时场效应管和基本放大电路作业习题 3-3、3-4、3-7、3-11注：删除图3-25中漏极电阻（部分印刷批次教材有次问题）重点和难点重点 理解场效应管的工作原理； 掌握场效应管的外特性及主要参数； 掌握场效应管放大电路静态工作点与动态参 数（Au、Ri、Ro）的分析方法。难点 通过外部电压对导电沟道的控制作用来说明结型场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。3.1场效应晶体管场效应管(FET)：是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。输入回路内阻很高(107~1012?)，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。仅靠多数载流子导电，又称单极型晶体管。分类：结型(JFET) 绝缘栅型(IGFET)栅极G漏极D 源极SSiO2PNNNPN沟道结构示意图结型场效应管N 沟道和P沟道1. 结型场效应管的结构 N沟道结型场效应管是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，将它们连接在一起引出电极栅极g。N型半导体分别引出漏极d、源极s，P区和N区的交界面形成耗尽层。源极和漏极之间的非耗尽层称为导电沟。 dgN沟道符号dsgsP沟道符号结型场效应管的符号P+gN导电沟道s2.工作原理—电压控制作用（以N沟道为例）正常工作时在栅-源之间加负向电压，(保证耗尽层承受反向电压) 漏-源之间加正向电压，(以形成漏极电流）这样既保证了栅源之间的电阻很高，又实现了ugs对沟道电流iD的控制。d耗尽层结构示意图此时ＵGS的值为夹断电压UGS（off） 1)ｇ、ｓ间和ｄ、ｓ间短路 ２)ｇ、ｓ间加负电压和ｄ、ｓ间短路| UGS |增加到某一数值,耗尽区相接,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大，沟道夹断耗尽区很窄,导电沟道宽| UGS |增大，耗尽区增宽，沟道变窄，沟道电阻增大。diDUDSgs3)ｇ、ｓ间短路， ｄ、ｓ间加正向电压 UDS的作用产生漏极电流ID ，使沟道中各点和栅极间的电压不再相等，近漏极电压最大，近源极电压最小。 导电沟道宽度不再相等，近漏极沟道窄，近源极沟道宽。随着UDS 的增加， ID近似线性增加,d-s间呈电阻特性。 dIDAgUDSs随着UDS 增加ID增大。沟道在漏极处，越来越窄。UGD = UGS - UDS = –UDS当UDS增加到|UGS(off)|漏极附近的耗尽区相接，称为预夹断。dIDAgUDSAs预夹断时，导电沟道内仍有电流ID ，且UDS增大时ID几乎不变，此时的ID称为“饱和漏极电流IDSS”如果UDS再增加，夹断区长度增加（A?A）。dIDUDSgUGSs3)ｇ、ｓ间加负向电压，ｄ、ｓ间加正向电压ｇ、ｓ间的负电压使导电沟道变窄（等宽）ｄ、ｓ间的正电压使沟道不等宽?UGS ?增加，导电沟道变窄，沟道电阻增大，同样UDS的产生的ID减小。dIDUDSgUGSs由于UDS的增加几乎全部落在夹断区，漏极电流ID基本保持不变。ID可以认为仅仅决定于UGS，表现出恒流特性。称场效应管为 电压控制元件。 可变电阻区恒流区夹断区3.结型场效应管的特性输出特性和转移特性因场效应管栅极电流几乎为零，不讨论输入特性。（1）输出特性曲线ID = f (UDS )|UGS = 常数1)夹断区（截止区）： 导电沟道全部夹断 条件：｜UGS｜??｜UGS（off）｜ UGS ?≤ UGS（off） 特点： ID? 02)可变电阻区：预夹断轨迹左边区域。条件： UGD UGS（off）特点：可通过改变UGS大小来改变漏源间电阻值。预夹断轨迹：通过连接各曲线上UGD= UGS（off）的点而成。3)恒流区：预夹断轨迹右边区域。 条件： UGD UGS（off） 特点： ID只受UGS 控制4)击穿区：UDS增加到一定程度，电流急剧增大。（2）转移特性ID = f (UGS )|UDS = 常数反映UGS对ID控制作用ID /mA UGS / V0UGS(off)转移特性ID /mAID /mAUGS =0V44– 1V33–222–3V11–4V00–4–3–2–14128 UDS / V UGS / VUGS(off)UDS=8V转移特性输出特性转移特性曲线与输出特性曲线有严格的对应关系IDSSUGS=0时产生预夹断时的漏极电流ID /mAIDSS32UGS(off)1–4–3–2–10 UGS / V恒流区ID近似表达式为：N沟结型场效应管，栅源之间加反向电压。P沟结型场效应管，栅源之间加正向电压。管子工作在可变电阻区时，不同的UDS ，转移特性曲线有很大差别。绝缘栅型场效应管（MOS管) 绝缘栅型场效应管采用sio2绝缘层隔离，栅极为金属铝，又称为MOS管。MOS管分类： N沟道（ N MOS） 增强型 耗尽型 P沟道（ P MOS） 增强型 耗尽型栅-源电压为零时，