一种全ＭＯＳ管结构低压低功耗电压基准源的设计.docVIP

一种全ＭＯＳ管结构低压低功耗电压基准源的设计 　　摘 要：提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源，他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿。电路采用标准的0.6 μm CMOS工艺设计，已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中，具有优良的温度稳定性，在-40~+120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃，并可以在供电电压为1.4~5.5 V下工作，其总电流仅为4 μA。?? 　　关键词：电压基准；亚阈值区；低压低功耗；MOS管?? 　　中图分类号：TN432 文献标识码：B 　　文章编号：1004373X(2008)0115603?オ? 　　 　　Design of a Low-voltage Low-power MOSFET-only Voltage Reference?? 　　ZHANG Changxuan,XIE Guangjun?? 　　(Microelectronics and Solid-State College,Hefei University of Technology,Hefei,230009,China)?オ? 　　Abstract：A low-voltage low-power MOSFET-only voltage reference circuit is proposed,which has a better temperature stability,it is 37.4 ppm/℃ from -40 ℃ to 120 ℃.It is based on compensating a PTAT of a pair sub-threshold MOSFETs with the gate-source voltage of a sub-threshold MOSFET.The reference circuit is implemented in a standard 0.6 μm CMOS process,used in a low dropout regulator.The circuit supply voltage is 1.4~5.5 V and the quiescent current is 4 μA.?? 　　Keywords：voltage reference;sub-threshold region;low-voltage low-power;MOS?オ? 　　 　　近几年来,随着无线通信业的高速成长,采用电池供电的模拟或模数混合电子产品得到迅猛发展，尤其是采用CMOS标准工艺的低电压、低功耗模拟电路受到越来越多的重视。低电压的模拟电路不但能大幅度降低电路功耗,而且能增强电路稳定性。在电子设计行业内有一种说法：电源电压越低越好。尽管电源电压并不是决定电路功耗的惟一因素,但其影响居于主导地位。?? 　　传统的带隙基准源是根据双极型晶体管的??V??????BE??和Δ??V??????BE??的温度特性来设计的，在CMOS工艺中采用了寄生的PNP管进行设计，其带隙基准电压为[1]： 　　 　　是温度为T??0时的基准电压，V????G0??是带隙电压??(1.205 ??V??)??，对于典型值γ=3.2，α=1，V?И???ref??=1.262 V[1]。所以一般的带隙基准电路其基准电压都大于带隙电压，难以实现低压。本文采用全MOS管结构，所设计的基准电压不再受带隙电压的限制，很容易达到1 V以下，便于为一些低压模拟电路提供基准源，且无需引入放大器，进一步简化了电路，所设计的电压基准源已成功应用于一个手机电源管理的LDO芯片之中。?? 　　 　　1 电路描述?? 　　 　　该电路的基本原理是，将具有负温度系数的电压??V???┆?GS????和具有正温度系数的电压??Δ??V???┆?GS????按照一定比例加和起来，实现了零温度系数基准电压V???┆?ref????。如图1所示，一个亚阈值??MOS??管的V???┆?GS????电压与温度成反比，而处于亚阈值的两个??MOS??管V???┆?GS????之差??Δ??V???┆?GS?????в胛露瘸烧?比，通过IVGS和I-V转换电路将两种温度特性的电压加和，即可得到一个与温度无关的基准电压。该电路包含了一个利用亚阈值特性产生的偏置电路，为整个电路提供偏置。 ?? 　　 　　2 偏置电流的产生?? 　　 　　该偏置电路的特别之处在于：也是采用MOS管的亚阈值特性设计的，满足低压工作条件，其产生的偏置电流虽然有正温度特性，但是并不影响零温度系数电压的产生。以下是电流??I????R1?