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2017 年国家技术发明奖公示材料 项目名称：高光效 LED 芯片设计制造及应用 推荐专家意见： 高光效 LED 芯片是半导体照明和高端显示产业的核心与基础，事关国家战略，市场巨大。 原来高光效芯片技术被美日垄断，占据高端市场，我国要改变现状，必须解决 LED 芯片光功 率低、光效不高、生产效率不高等难题。针对上述问题，华灿光电股份有限公司、浙江大学、 木林森股份有限公司强强合作研发 4 项关键发明技术，发明倒装、垂直、组分渐变电子阻挡 层和多量子阱结构设计技术提高发光内量子效率，发明界面修饰等集成制备技术提高出光效 率，研发 PVD 沉积 AlN 缓冲层和高压 LED 芯片技术降低生产成本。该项目发明的高光效 LED 芯片技术有特色，产品应用有优势，5 年来发光效率提高 50%，产量增加 15 倍，成本降至 原来的 1/5，赶超国际先进水平，显著增强了我国高端 LED 芯片国际竞争力。鉴定专家认为 “性能指标达到或超过国外先进水平”。申请发明专利128 项，其中授权美国专利 2 项、中 国专利40 多项，积累了技术优势地位。发明技术应用近三年累计产出超 50 亿元，利润 6.7 亿元，创汇 1.45 亿美元，效益重大。技术在多家公司推广，间接效益巨大，节能减排效果 显著，社会效益突出。LED 芯片在国际、国内重大工程应用，影响巨大。通过本项目多年努 力，打破高端 LED 芯片依赖进口局面，目前LED 芯片国产化率达 80% 以上，有力推动我国半 导体照明产业实现跨越式发展。 项目简介： 高光效 GaN-LED 芯片是半导体照明和高端显示两大产业核心与基础，事关国 家战略，市场巨大；芯片制备虽已产业化，但低光效、高成本仍阻碍向高端发展。 不断提高 LED 芯片光功率、光效和生产效率，赶超国际一流是当务之急。本项目 经 10 余年努力取得 4 项核心发明，解决了高光效芯片产业化关键问题。 核心发明一：首创新型倒装与垂直结构 LED 芯片及制造技术，提高发光功率。 创新版图设计, 采用独特布拉格反射镜，反射率超 99%，制造出可直接贴片倒 装高光效芯片，电极直接与散热基板接触，大电流下散热快、结温低，芯片寿 命比普通翻一番；发明垂直结构芯片，改变载流子输运特性，克服电流局部阻 塞问题，减少电阻，降低正向电压，提高输出光功率；发明干湿相结合剥离新 技术，完全剥离衬底时对外延层损伤小；芯片光功率达 725 mW；解决了传统倒 装芯片光功率不高问题。 核心发明二：首创类超晶格调控插入层、多量子阱结构有源区和组分渐变电 子阻挡层设计及制造技术，提高芯片内量子效率。制备类超晶格 Al Ga N/GaN x 1-x 插入层，减小晶格失配、位错密度和非辐射复合中心，提高内量子效率；从量子 调控原理出发，首创曲线型 Al 成分渐变电子阻挡层，降低与有源层间失配，提 高与 p 型层垒高匹配，阻挡电子溢出，增加空穴注入效率，解决了电子空穴注入 不平衡问题，内量子效率从 70%升到 90% @350mA，最高达 95% 。 核心发明三：发明侧向光子晶体、复合透明导电膜等界面修饰集成技术，优 化图形化衬底和 DBR 反光层，发明集成封装工艺，提高外量子效率与显色指数。 侧向光子晶体调控光子界面传输，减少界面损失；独特 ITO/ ZnO 复合膜实现高 透明导电同时增加出光角；研发 DBR 背面蒸镀一层全反射金属膜 ODR 新工艺， 明显提升芯片光效；优化隐形切割技术，倒三角形和倾斜/弯曲衬底侧面提高了 外量子效率；发明湿干相结合腐蚀新工艺优化图形化衬底，减少界面反射；发明 大功率封装工艺和荧光粉，不仅光效提升 30%，且显色指数高达 93 。 核心发明四：开发 AlN 过渡层 PVD 沉积技术，大幅提高生产效率；创新高 深宽比设计，突破隔离槽刻蚀等关键技术制造优质高压芯片和小间距显示芯片。 研发 PVD 法沉积 AlN 纳米薄膜，不仅提高 Al Ga N 外延层质量和表面平整度， x 1-x 而且 MOCVD 时间缩短 3 小时，生产效率提高 38%；突破隔离槽刻蚀、绝缘层沉积 与金属连接等制造新技术，研制