功率二极管的分类 .docVIP

功率二极管的分类 　　1.根据制造工艺分： 　　扩散功率二极管 　　外延功率二极管 　　2.根据特性参数（trr)分: 　　普通整流功率二极管 　　快恢复二极管 　　超快恢复二极管 　　肖特基二极管（SBD） 　　3.根据结构来分: 　　螺栓型 　　平板型gt;功率二极管的工艺与结构 　　基本结构：pnn+结构和p+pnn+结构 　　制作工艺：外延和扩散 　　外延功率二极管--pnn+（pin）结构 　　扩散功率二极管--p+pnn+结构 nbsp; 　　1)当 当功率二极管的UAKlt;0时，p+n结反偏，承担反向电压，功率二极管处于反向阻断状态，此时漏电流很小。当UAK 继续增加，直到大于p+n 结雪崩击穿电压UBD时，功率二极管发生雪崩击穿，此时漏电流急剧增加。 　　2）当 UAKgt;0时，p+阳极区向n区注入空穴，n+阴极区向n区注入电子；当n区充满大量的非平衡载流子( △n=△pgt;gt;nn0 ) ，即达到大注入时，n区内发生电导调制效应，功率二极管处于正向导通状态，此时通过器件的电流很大，两端的压降很低。 　　3) 当撤走阳-阴极两端的正向电压, 并同时加上反压(UAKlt;0)， 器件由导通状态进入反向恢复过程导通状态下存储在n区中的大量的非平衡载流子开始消失。阳-阴极之间的反向电压可加速n区中非平衡载流子的抽取，缩短反向恢复时间。直到n区中的非平衡载流子彻底消失，功率二极管才完全截止。 　　一、根据构造分类 　　 nbsp;nbsp;nbsp; 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 　　1、点接触型二极管 　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 　　2、键型二极管 　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。 　　3、合金型二极管 　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。 　　4、扩散型二极管 　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 　　5、台面型二极管 　　PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。 　　6、平面型二极管 　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。 　　7、合金扩散型二极管 　　它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 　　8、外延型二极管 　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 　　9、肖特基二极管 　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上