矽晶圓材料製造技術详解.docVIP

微電子材料與制程【第三章 矽晶圓材料製造技術】 3-1 前　言 `( o- j( _1 L i3 ]; R矽晶圓(Silicon Wafer)材料之所以在諸多元素或化合物半導體材料中脫穎而出，成為超大型積體電路(ULSI)之基材，其原因大致可歸納為以下兩項。 O6 b: K1 _+ ^7 h6 P* ?1 l5 v b( Q! S( a9 M7 g$ @. c(1) 矽元素乃地球表面存量豐富的元素之一，而其本身的無毒性，以及具有較寬的能階差(Bandgap)，則是早期半導體界捨鍺而轉向矽的重要考量，同時矽與氧形成一穩定的鈍態層(Passivation Layer)之二氧化矽則是積體電路重要的元件電路設計，然而在高頻需求的元件設計上，矽材料則沒有如化合物半導體、砷化鎵般的具有高電子游動性(Electron Mobility)而受到青睞，尤其間接能階差的矽更無法提供光電元件(Optoelectronic Device)的素材，而由其他直接能階差的材料，如砷化鎵所取代。 % w??A; g; H3 U b1 F6 Y* X) i. E+ y7 S??F(2) 從製造成本的考量上，目前絕大部份的積體電路用的晶圓，均由所謂的柴氏法(Czochralski Method)成長單晶，早在五○、六○年代曾有各種推測以浮融帶長晶法(Floating Zone Method)或直接以氣相的