半导体工艺技术复习题.doc

CK0712半导体工艺技术复习指导 考试时间：11月23日（13周周一）下午2:30-5:00, 东九楼B403 考试范围：《半导体制造基础》、讲义、作业题 考试题型：名词解释、选择、简答、问答 考试请携带：钢笔或圆珠笔、铅笔、尺、计算器、橡皮 几点注意： 重点掌握各章节的器件或工艺原理 公式需记忆，但不超过作业题的范围； 以下为复习要点： ★首先，各章布置的习题要会做，所有习题都是考试范围。 第一章 绪论 简单叙述微电子学对人类社会的作用 解释微电子学、集成电路的概念 列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用 第二章 半导体及其基本特性 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、正掺杂、负掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 第三章 半导体器件 描述二极管的工作机理 描述双极晶体管的工作机理 描述MOSFET的工作原理 第四章 集成电路制造工艺概述 1. 集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用 第五章 晶体生长 简述晶圆制造过程。 简述CZ（直拉法）生长单晶硅的过程。 简述悬浮区熔法（区熔法)的原理 晶圆切割时的主标志面和次标志面指什么，有何作用？ 识别晶圆标志面。 第六章 硅氧化 硅热氧化的基本模型 生长氧化层的两个阶段：线性阶段和抛物线阶段 叙述干氧氧化和湿氧氧化的工艺过程和优缺点。 氧化层厚度表征方法 第七章 光刻 光刻 刻蚀 光刻胶（光致抗蚀剂） 正光刻胶 负光刻胶 反应离子刻蚀 超净间分级 光刻的最小线宽（临界尺寸）、分辨率、聚焦深度等主要参数的含义与计算 掩膜材料及制作方法。 光刻胶（光致抗蚀剂）的主要成分及它们的作用。 描述正性和负性光刻胶在曝光过程中的变化。 遮蔽式曝光、接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光 紫外光谱的大致范围是？紫外光曝光光源的种类。 半导体光刻工艺过程步骤及作用。 认识光刻机系统组成与作用。 了解下一代光刻技术 第八章 刻蚀 何谓湿法刻蚀和干法刻蚀？它们各有什么优缺点。 各向同性刻蚀、各向异性刻蚀、各向异性比值、腐蚀速率均匀度、刻蚀选择性（选择比） 了解各种介质的湿法化学腐蚀方法 何谓等离子体，等离子体产生原理； 刻蚀终点探测与控制 反应等离子体刻蚀技术原理及其优势 光刻胶去除方法 第九章 扩散 掺杂、扩散、恒定表面浓度扩散、恒定掺杂总量扩散、本征扩散、非本征扩散 扩散的原理、驱动力、扩散方程 第十章 离子注入 离子注入、射程、投影射程、投影偏差、横向偏差、注入损伤 叙述离子注入中的离子中止（或称离子阻止）机制 什么是离子注入的沟道效应，如何克服？ 轻离子和重离子注入损伤的不同之处。 离子注入后退火的目的、方法与效果。 何谓快速热退火（RTA），与传统退火比有何优缺点。 认识离子注入机系统组成与作用。 第十一章 薄膜淀积 外延 同质外延 异质外延 物理气相沉积 化学气相沉积 真空蒸镀、溅射、Low K材料、High K材料 薄膜气相沉积大体上分为哪两类工艺方式，各有什么特点？ 简述APCVD、LPCVD、PECVD的工艺特点和在芯片制造中的主要应用。 SiO2有哪些制作方法，各有什么用途？ 氮化硅的沉积方法有哪些，各有什么用途？ 多晶硅薄膜的制作方法 金属膜的制作方法 为何在半导体工艺中要使用Low K材料代替SiO2，和铜代替铝？ 使用High K材料的意义和作用。 第十二章 工艺集成 双极晶体管和MOS场效应管的制造工艺步骤 闩锁效应及其防止方法 画出CMOS反相器的截面图和俯视图 第十三章 微电子技术发展的规律及趋势 了解电学测试与封装 了解半导体制造技术未来发展趋势和挑战