高频课件4.2.ppt

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高频课件4.2

  两种改进型电容反馈的振荡器 —克拉泼(Clapp)振荡器和西勒(Siler)振荡器,采用减弱晶体管与回路之间耦合的方法,来减少晶体管极间电容对回路的影响,达到提高频率稳定度的目的。 密勒振荡电路通常采用输入阻抗高的场效应管,以保持晶体频率稳定度高的特性。 密勒(Miler)振荡器,属于电感三点式振荡器,频率稳定度较低。 正向偏置时晶体管发射结电阻太小, 会降低回路的标准性和频率的稳定性。 第4章 正弦波振荡器 4.2 LC振荡器 4.3 频率稳定度 4.4 LC振荡器的设计考虑 4.5 石英晶体振荡器 作业题 4.2.4 两种改进型电容反馈振荡器   克拉泼(Clapp)振荡器 西勒(Siler)振荡器   1. 克拉泼振荡器 用电感L和可变电容C3的串联代替电感,且C3C1、C2(满足L和C3串联后,在谐振频率上等效为一电感)。 该电路属于电容三点式振荡器。 图 4-10 克拉泼振荡器电路 (a) 实际电路;(b) 交流等效电路(共基极组态) 回路的总电容为 回路的总电容C将主要由C3决定,晶体管以部分接入的形式与回路连接,减弱了晶体管与回路之间的耦合,极间电容对回路总电容的影响就很小。 接入系数p为: 振荡器的振荡频率为 反馈系数的大小为   克拉泼振荡器的特点与应用: 克拉泼振荡器频率的改变通过C3改变来实现,但C3的改变,将引起负载电阻RL的改变,放大器的增益随之变化,振荡器输出幅度也将变化,有可能导致停振。 克拉泼振荡器的频率覆盖系数小(通常为1.2~1.3),主要用于固定频率或波段范围较窄的场合。 2. 西勒振荡器   在克拉泼振荡器的基础上,给电感L并联一个可变电容C4,且C3C1、C2。 可变电容C4用来改变振荡器的工作波段(粗调),电容C3起微调频率的作用(细调)。 西勒振荡器电路: (a) 实际电路;(b) 交流等效电路 回路的总电容为 振荡频率为 调整C4改变频率时,并不影响接入系数p,所以波段内输出幅度较平稳。 西勒振荡器的接入系数与克拉泼振荡器的相同为: 西勒振荡器的特点:比克拉波振荡器频率覆盖系数较大(可达1.6~1.8),频率稳定度高。 适用于较宽波段工作。 4.2.5 场效应管振荡器 N沟道结型场效应管 NPN晶体管 b c e 图 4-12 由场效应管构成的振荡器电路 (a) 互感耦合振荡器;(b) 电感三点式振荡器; (c) 电容三点式振荡器 4.2.6 压控振荡器 应用: 频率调制器、锁相环路,无线电发射机和接收机。 压控振荡器(VCO): 用压控元件(变容二极管)作为频率控制器件的振荡器。 这是一个栅极电路调谐的互感耦合VCO振荡器。 L1、C1、C2和压控变容管V2呈现的电容Cj决定频率。 图 4-14 VCO的频率与控制电压关系 VCO的主要性能指标: ① 压控灵敏度:单位控制电压引起的振荡频率的变化量S ② 线性度:VCO的频率与控制电压的线性程度。这一与变容管变容指数及电路形式有关。 4.3 频 率 稳 定 度 评价振荡器的主要指标: 频率准确度、频率稳定度   频率准确度指振荡器的实际频率偏离标称频率的程度,它可分为绝对频率准确度和相对频率准确度。 4.3.1 频率稳定度的意义和表征   频率稳定度的意义:指由于外界条件的变化,引起振荡器的实际工作频率偏离标称频率的程度,是振荡器的一个很重要的指标。 频率稳定度定义:在一定时间间隔内,振荡器频率的相对变化,用Δf / f0|时间间隔表示。 这个数值越小,频率稳定度越高。 频率稳定度分为以下几种:   长期稳定度: 一般指一天以上以至几个月的时间间隔内的频率相对变化,通常由振荡器中元器件老化引起。   短期稳定度: 一般指一天以内,频率的相对变化。产生这种频率不稳定的因素有温度、电源电压等。 瞬时稳定度: 一般指秒或毫秒时间间隔内的频率相对变化。引起这类频率不稳定的主要因素是振荡器内部噪声。   通常所说的频率稳定度指短期稳定度,而且指最坏的情况。电视发射台要求5×10-7,军用发射机要求10-6以上。 1、回路元件L和C的稳定度影响振荡器的频率稳定度; 4.3.2 振荡器的稳频原理 2、回路的QL影响频率稳定度。 4.3.3 提高频率稳定度的措施  1. 采用高质量的回路元件,提高振荡回路的标准性 2. 选择fT较高的晶体管,减少晶体管和回路之间的耦合,以减少晶体管的影响。 3. 提高回路的品质因数 4. 减少电源、负载等的影响(电源稳压、减小负载对回路的耦合)。 5. 加装恒温槽、加强电磁屏蔽、远离热源等。 4.4 LC

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