光伏制造行业规范条件（2018 年本）.PDF

附件： 光伏制造行业规范条件（2018 年本 ） 为加强光伏行业管理，引导产业加快转型升级和结构调 整，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国家有关法律法 规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国 发 〔2013〕24 号），按照优化布局、调整结构、控制总量、 鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。 一、生产布局与项目设立 （一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、 环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和 相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城 市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。 （二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人 民政府批准的永久基本农田保护区、饮用水水源保护区、自 然保护区、风景名胜区、生态保护红线和生态环境敏感区、 脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设 光伏制造项目。上述区域内的现有企业应严格控制规模，对 生态环境造成影响的应采取措施，逐步迁出。 (三)严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目,引导 光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新 建和改扩建多晶硅制造项目，最低资本金比例为 30%，其他 1 新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。 二、生产规模和工艺技术 （一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品 质量好、生产成本低的生产技术和设备。 （二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和 国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏 产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研 发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工 艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于 1000 万元人民 币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际 产能的50%。 （三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求： 1.多晶硅项目每期规模不低于3000 吨/年； 2.硅锭年产能不低于1000 吨； 3.硅棒年产能不低于1000 吨； 4.硅片年产能不低于5000 万片； 5.晶硅电池年产能不低于200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp； 8.逆变器年产能不低于 200MWp （微型逆变器不低于 10MWp）。 （四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 2 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品 的要求。 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2μ s，碳、 氧含量分别小于10 和16PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μ s，碳、氧含量分别小于1 和16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别 不低于18%和19.5%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换 效率分别不低于16%和16.8%。 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于 8%、13%、12%、 10%。 6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于 96%， 不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于 98% （单 相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于 94.5%和 96.8%），微型逆变器相关指标分别不低于94.3%和95.5%。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2 级品以上要求。 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μ s，碳、 氧含量分别小于8 和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μ s， 碳、氧含量分别小于1 和16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别 3 不低于19%和21%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换 效率分别不低于17%和17.8%。 5.硅基、CIGS、CdTe