1.6电力电子器件驱动.pptVIP

电力电子器件器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力电子器件驱动电路概述 1.隔离要求 驱动电路主电路之间电气隔离? 光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 晶闸管的触发电路 1. 作用 产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 晶闸管的触发电路 典型全控型器件的驱动电路 1 . GTR 典型全控型器件的驱动电路 2. 电压驱动型器件的驱动电路 典型全控型器件的驱动电路 2) 电力MOSFET驱动电路举例 ?驱动电路工作原理 典型全控型器件的驱动电路 3) IGBT的驱动? * 1.6 光电耦合器隔离 1.6.1 2. 驱动信号类型 电流驱动型和电压驱动型 驱动电路形式 分立元件 专用集成驱动电路 1.6.2 2. 要求 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　 I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 常见的晶闸管触发电路 TM R 1 R 2 R 3 V 1 V 2 VD 1 VD 3 VD 2 R 4 +E 1 +E 2 1.6.2 3. 触发电路举例 1) 组成 脉冲放大环节←V1、V2 脉冲输出环节━脉冲变压器TM,整流电路 2) 工作过程 V1、V2导通时→脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 3) 各元件作用 VD1和R3:泄放电路 V1、V2:由导通变为截止时释放脉冲变压器TM储存的能量。 TM R 1 R 2 R 3 V 1 V 2 VD 1 VD 3 VD 2 R 4 +E 1 +E 2 理想的GTR基极驱动电流波形 1.6.3 关断GTR时，提供一定的负基极电流减小关断时间，关断后在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 ?驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，不进入放大区和深饱和区。 1) 要求 2) GTR驱动电路 　　二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。 　　C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分 GTR的一种驱动电路 1.6.3 1) 驱动要求 驱动电路输出电阻小(栅源间、栅射间有数千皮法的电容) 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间。 图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 1.6.3 ? 组成: 电气隔离电路,放大电路 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。 当有输入信号时A输出正电平 ,V2导通输出正驱动电压。 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其 输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。 电力MOSFET的一种驱动电路 1.6.3 专用混合集成驱动器 特点: 内部具有退饱和检测和保护环节，发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并给出故障信号。 M579系列(三菱公司的),如M57962L EXB系列(富士公司的),如EXB840 M57962L输出的正驱动电压+15V左右，负驱动电压 -10V。 *