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2006-8 清洗－结晶工序培训 ——整个流程的主要内容以及操作 培训内容 整个清洗－结晶工序的生产流程 清洗的目的,工艺流程,化学药品注意事项 坩埚喷涂和烘烤 硅原料和硅锭的介绍 结晶炉外围水,电,气 结晶炉的原理和组成结构,操作说明 结晶炉的日常维护和保养 生产流程 清洗 清洗的对象：硅原料 清洗的目的：去除硅原料表面各种杂质．主要有各种金属离子，有机物杂质，颗粒杂质，氧化物等 清洗的工艺流程 坩埚喷涂 准备工作: 纯水 1000g SiN粉末 250g 坩埚烘烤 整个烘烤过程 10分钟加热到200℃ 6小时升到800 ℃ 3小时恒温800 ℃ 自然冷却 硅原料 电阻率的含义 简单描述:硅材料阻碍电流通过的能力.目前我们使用的硅原料一般 0.5Ω·cm 导电类型 P型: 空穴为主要载流子 N型:电子为主要载流子 常见硅原料 单晶头尾料 棒料 常见硅原料 ＶＩＲＧＩＮ（免洗） 常见硅原料 颗粒料 常见硅原料 碎硅片 常见硅原料 回炉料 硅锭 长*宽 690*690 MM 重量 240KG 目标电阻率 0.8—3Ω·cm 掺杂 　Ｐ型：硼Ｂ（受主杂质） 　Ｎ型：磷Ｐ（施主杂质） 少子寿命　 P型≥2us N型≥10us DSS结晶炉外围水电气 冷却水:纯水 压力: 50-60PSI 进水温度:24℃ 出水温度:30 ℃ 电源供应:三相380V 50HZ 200KVA 工艺气体:氩气(Ar2) 压力:0.2Mpa 驱动气体:压缩空气 压力: 75PSI 结晶炉原理 在真空环境里石墨加热器加热使硅原料在坩埚内完全熔化,通过向上提升隔热笼使热量从热交换块(DS-Block)散发到炉壁,坩埚内的硅汤会从底部逐渐向上凝固. 结晶炉运行步骤 加热(HEAT) 熔化(MELT) 长晶(GROWTH) 退火(ANNEAL) 冷却(COOL) 整个运行时间45-48小时 运行顺序—加热（ＨＥＡＴ） 　　炉内抽真空（ＶＡＣＵＵＭ），并处于功率控制模 式（ＰＯＷＥＲ　ＣＯＮＴＲＯＬ），提升硅块的温 度，蒸发内部的湿气．ＴＣ１温度达到１１７５℃进入 融化（ＭＥＬＴ）．需３到４小时． 运行顺序—熔化（ＭＥＬＴ） 　　炉内通氩气，压力逐渐上升到６００mbar，处于温 度控制模式（ＴＥＭＰ　ＣＯＮＴＲＯＬ），温度逐渐 上升到１５４０℃并维持数小时，坩埚内的硅完全熔 化，呈液体状态． 　　这时会出现熔化报警（ＭＥＬＴ　ＥＮＤ），提醒 操作者进行确认． 　　需10到11小时． 运行顺序—长晶（ＧＲＯＷＴＨ） 　　炉内通氩气，炉内压力维持在６００mbar，控制温 度逐渐降低，抬升隔热笼（Insulation），坩埚内的硅汤 从底部开始向上结晶． 　　当顶部中央结晶完成时会出现透顶报警（ＭＥＬＴ　 ＥＮＤ），提醒操作者进行确认． 　　需18-19小时左右. 运行顺序—退火(ANNEAL) 　　退火是为了消除硅锭(Ingot)内部存在的应力和裂缝, 减少晶格的差排,使下一道工序带锯和线锯减少裂缝. 该过程隔热笼关闭,温度保持在1370℃,并过渡到功 率控制模式.需3小时. 运行顺序—冷却(COOL) 　　较慢的冷却过程可以让硅锭逐渐冷却,不至于产生裂 缝,功率逐渐降到0,整个过程通入氩气(Argon).当TC2的温 度下降到450℃,隔热笼上升到最高点(38CM),炉内压力达 到950mbar. 需9小时左右. 结晶炉组成结构 冷却水环路 炉体 热场 真空系统 气体输入输出系统 电源供应系统 控制柜 操作面板 结晶炉－冷却水环路 共有8个冷却水环路 F1-F3 电极　水冷电缆 F4 上炉盖 F5 主炉体 F6 下炉体上半部 F7 下炉体下半部 F8 真空泵 结晶炉-炉体 炉体是整个设备最大的组成部分,包括 上炉体和下炉体.上炉体是由三个支柱支撑, 下炉体通过一个直流电机控制其上升和下 降. 结晶炉－热场 热场由四组平板石墨加热器和隔热笼组成. 石墨加热器和铜电极连接,隔热笼由三个支 撑杆控制. 结晶炉－真空系统 主要由ROUGHING PUMP和BLOWER PUMP 组成,还包括两个气压计.手动抽真空到 0.005mbar开始自动运行. 结晶炉－气体输入输出系统 气体模式(GAS MODE)状态下: 输入控制(INLET): 由输入Mass Flow Controlle控制炉内压力的变化,输出是一固定数值 输出控制(OUTLET):由输出Her