遥感红外光谱技术-5概要.ppt

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遥感红外光谱技术-5概要

二次发射系数:δ=n2/n1,δ与材料有关,与一次电子的动能或极间电压有关。 二次发射极 设:每极的倍增率为δ,若有n极,则光电倍增管的电流倍增率为δn。 光电倍增极一般用锑铯涂料或银镁合金涂料 倍增极数常为4-14,δ值为3-6,管内电子增益可达103-107以上。 光电探测器的特点: 1.响应速度快10-9; 2.存在一个长波限,即截至波长; (响应只延伸到近红外的一个小范围) 2.光电导探测器 (1)内光电效应 光照在半导体材料上,材料中处于价带的电子吸收光子能量,通过禁带跃入导带,使导带内电子和价带内空穴增多,即激发出光生电子-空穴对使半导体材料产生光电效应 ※ 产生内光电效应,光子能量必须大于材料 的禁带宽度。 内光电效应的临界波长: 内光电效应按其工作原理可分为: 光电导效应、光生伏特效应、光磁电效应 本征激发:价电子从外界获得能量挣脱束缚 激发称为导电电子的过程。 光电导效应:当光照射在某些材料表面时, 能使材料的电导率增加。 光电导探测器:利用半导体光电导效应制 成的探测器。 材料: 多晶薄膜型常用:硫化铅 (1-3μm) 硒化铅 (3-5 μ m) 单晶型 本征型:锑化铟 (3-5 μm)、碲镉汞 掺杂型: (2)本征型光电导探测器 由纯净半导体材料制成,导电机理是一种本征激发。 截止波长 由于已知的各种单晶和化合物半导体在室温时都有,Eg0.18ev,截止波长7μm。 (2)本征型光电导探测器 为探测7 μm以上红外辐射 杂质半导体:在纯净半导体中掺入少量其它 杂质。 受主杂质(P型杂质): 因杂质能级恰好靠近主体材料价带的顶部,所以从价带顶跃迁到受主能级Ep只需很小的能量Ei。 施主杂质(n型杂质): 杂质中电子当得到外界能量,就可以挣脱杂质原子的束缚,激发到导带形成导电电子。 掺杂质探测器:由于电离能很小,室温下的热激发就能使受主能级完全被填满,所以不能在室温下工作,必须制冷。 光电导探测器在电路中的作用——相当于一个可变电阻器,它需要外加偏压电源。 光电导探测器(PC器件)有—— 光敏电阻、光敏二极管、三极管 光敏二极管、三极管使用时必须注意: 3.光生伏特探测器 光生伏特效应:当光照射在某些材料的 P-n结上时,在结区能产生一个附加的电动势,这个附加的电动势叫光生电动势,这个现象叫光生伏特效应。 光生伏特探测器:利用光生伏特效应制成的探测器称为PV器件。 工作原理: 1. Pn结的形成 2.电子、空穴扩散运动——形成空间电荷区 3.电子、空穴在内电场作用下作漂移运动 4.在入射光照射下——产生光生电子空穴对 5.光生电子、空穴在Pn结电场作用下,在Pn结两侧形成电荷积累,产生附加电动势——光生电动势。 光生伏特探测器的伏安特性曲线 光电二极管 雪崩光电二极管 4.光磁电探测器 光磁电效应:半导体的表面吸收光子后,在上表面产生的电子、空穴对要向体内扩散,在扩散过程中,因受到强磁场的作用,电子和空穴各偏向一侧,因而产生电位差,这个现象叫作光磁电效应。 光磁电探测器:利用光磁电效应制成的探 测器(PEM器件) 5.光子探测器与热探测器的比较 (1)热探测器对各种波长都有响应,光 子探测器只对它的长波限以下的一段波长区间有响应。 (2)热探测器(除低温测辐射热计外)工作时不需制冷,光子探测器则多数需要制冷。 (3)光子探测器的响应度一般高于热探测器,响应时间小于热探测器。 §6.2 红外探测器的性能参数 一、性能参数 1. 电压、电流响应率R (1)辐照特性 辐照特性:探测器输入辐射能量与光电 流(电压)之间的关系。 例如:光敏电阻、光敏二极管、光电池 (2)电压、电流响应率R 辐照特性常用响应率R描述 光生电流器件 Ri 光生伏特器件 Rv 响应率R—输出电压与输入的红外辐射功率 之比。 V—红外探测器的输出电压 P—输入的红外辐射功率 用电压响应率来衡量红外探测器,应用起来比较直观和方便,但是不同的探测器在进行比较时,应注意它们的测试条件。 测量时,测试条件必须符合一些共同的规定,才能获得别人也能了解的R。 一般规定: 2. 光谱响应(响应波长范围

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