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用于光伏逆变器的650V IGBT前言由于全球范围的电能需求持续增长，所以对实现环境影响最小化的替代能源的需求也在增长。由于有了最新的工艺技术、系统拓扑和元件，清洁能源生产的可行性越来越高。预计光伏发电会对全球电力格局产生重大的影响，并且已证明：光伏发电在经济和技术方面是可行的。光伏电池技术的近期进步，加上近来推出的高效、高性能及低成本半导体器件，将为高效、廉价和可靠的可再生能源系统的实施提供便利。新型650V IGBT因为新的太阳能市场的特殊要求，人们一直在寻求提高器件的击穿电压。。由于太阳能面板汇流条会出现电压峰值，因而需要使用650V器件，在转换器的输入级上获得较大的电压余量。击穿电压随温度下降而下降，这是要求具有更高阻断电压的另一个理由，因为光伏逆变器会安装在室外。此外，三电平中点箝位(neutral-point-clamped, NPC)拓扑通过利用较好的输出电压频谱性能，可能的开关频率增加，以及较少的开关损耗牺牲，实现了滤波器的尺寸和成本的缩减，因而也可以应用于低功率和中等功率光伏逆变器。在这种情况下，650V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。因为在三电平NPC拓扑中不能很好地平衡直流母线电压，所以这种拓扑必须具有更高的阻断电压。?对于650V IGBT的开发，重要的是将开关和导通损耗保持在与600V IGBT相当的水平上。通常，高击穿电压会导致Vce(sat)的升高，样会导致在光伏逆变器的应用中性能下降。并且，Vce(sat)和开关性能是相互取舍的关系。这意味着对由更高击穿电压带来的高Vce(sat)的补偿，会降低开关性能和增大开关损耗。因此在折衷权衡曲线中找到最佳设计点是650V IGBT开发的关键。图1显示了对导通损耗至关重要的600V和650V IGBT的Vce(sat)特性，两者的曲线几乎相同。仔细来看，新型650V IGBT在室温和高至额定电流（60A）条件下，或者在更高温度低于30A以下，Vce(sat)更低，但是差别非常小。图2显示了开通和关断开关损耗的总和。测试条件为：Vdd=400V、Vge=15V和Rg=3Ω。此外，两种IGBT之间的差异很小。在高温和一半额定电流条件下，开关性能是相同的。在室温和额定电流下，新型650V IGBT的总开关损耗要高出5%。总之，新型650V IGBT的性能在典型工作温度和电流水平下与600V IGBT几乎是等同的，这一点通过电路评测得到证实。?PV逆变器的效率为了评估系统级的性能，根据图1和图2所示的IGBT特性数据进行损耗分析。选择一种具有混合开关控制方案的全桥逆变器作为目标拓扑。图3显示了开通。高侧IGBT以高频方式导通和关断，低侧IGBT则以市电频率进行开关，并在另一半市电周期内提供续流路径。图4显示高侧IGBT的开关频率为17kHz，输出功率为3kW时，每个IGBT的估算功率损耗。假设输入电压和输出电压分别为400VDC和220VAC，IGBT的壳体温度为70℃，以便简化等式并快速得到仿真结果。因为IGBT集电极电流在19A左右，或者低于额定电流的一半，即使包含共封装二极管反向恢复电流带来的电流峰值，以市电频率开关时，新型650V IGBT的功率损耗略微小一些，这与图1显示的直流特性很好的吻合。对于以高频开关的高侧IGBT，开关损耗是主要的功率损耗，新型650V IGBT的损耗略高些，这与图2显示的开关损耗数据是一致的。?新型650V IGBT也可用于额定功率3kW的单相并网光伏逆变器，并参照现有的600V IGBT对系统效率进行评估。模拟条件的输入和输出规范几乎相同；带有混合频率开关控制的全桥拓扑，高侧IGBT的开关频率为17kHz。图5给出了两个IGBT的效率曲线。在输入功率小的情况下，开关损耗占据总体功率损耗的绝大部分，因此新型650V IGBT的效率在300W时要低0.2%，在600W时则低0.08%。随着输入功率增大，导通损耗成为了主要的损耗因素，新型650V IGBT在2250W时的效率要高出0.19%，在3kW时高出0.13%。新型650V IGBT的CEC权重效率是96.7%，而现有600V IGBT的CEC权重效率是96.2%，因为在最高功率的75%时（2250W）权重系数最大。根据系统级效率测试结果和损耗分析模拟，可以确定：新型650V IGBT的性能与现有600V IGBT的性能相当，但新型650V IGBT具有更高的阻断电压。?结论我们开发了一款新型650V IGBT，并在光伏逆变器应用中对其性能进行了评估。新器件在不牺牲性能的情况下具有更高的阻断电压。这一点非常适合光伏逆变器应用以及其它需要更高阻断电压的功率转换系统。??图1 直流特性；饱和电压??图2 开关损耗随集电极电流变化的情况???图3 开关损耗随集电极电流变化的