集成电路设计MOS集成电路的结构和元件.pptVIP

硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 1 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口 注入形成P管和N管的衬底 2 有源区——做晶体管的区域（G,D,S, B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层， 该处不会长场氧化层 3 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 1 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口 注入形成P管和N管的衬底 2 有源区——做晶体管的区域（G,D,S, B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层， 该处不会长场氧化层 3 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 1 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口 注入形成P管和N管的衬底 2 有源区——做晶体管的区域（G,D,S, B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层， 该处不会长场氧化层 3 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4 有源区注入——P+,N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7通孔——两层金属连线之间连接的端子 8金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 4 有源区注入——P+,N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留 7通孔——两层金属连线之间连接的端子 8金属线2——做金属连线，封闭图形处保留 4 有源区注入——P+,N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7通孔——两层金属连线之间连接的端子 8金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 4 有源区注入——P+,N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7通孔——两层金属连线之间连接的端子 8金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 4 有源区注入——P+,N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7通孔——两层金属连线之间连接的端子 8金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 须解释的问题： 1 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此区一次形成。 3 至于以后何处是N晶体管，何处是P晶体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有源区要大些。 5 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交有源区要大些。 6 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。三层布线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 7 三层半布线 金属1，金属2 ，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。四层线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 门阵列的版图 习题 准静态D触发器 版图:（含铝） 习题 准静态D触发器 版图: （去铝、去孔） * 第一章: MOS集成电路的结构和元件 N well P well CMOS反相器版图流程(1) 第一章: MOS集成电路的结构和元件 N diffusion CMOS反相器版图流程(2) P diffusion CMOS反相器版图流程(2) 第一章: MOS集成电路的结构和元件 Poly gate CMOS反相器版图流程(