以调制光谱研究氧化物-砷化镓之介面性质.PDFVIP

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2018-03-25 发布于天津
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以调制光谱研究氧化物-砷化镓之介面性质

南榮學報第十八期民國 104 年7月 Journal of Nan Jeon, Vol. 18, 2015 以調制光譜研究氧化物砷化鎵之介面性質 - 王瑤池1 廖士興2 3 李榮哲南榮科技大學資訊管理系1 南榮科技大學室內設計系2 南榮科技大學創意產品設計系 3 摘要本文主要探討在砷化鎵 ( G a A s ) 表面成長不同的氧化物時其介面的光電特性。吾人以分子束磊晶成長法 ( M B E ) ，分別在砷化鎵的表面成長以下的氧化物：赤裸的表面、、和。從光反射調制 a i r - ( ) Al O - Ga O - Ga O (Gd O ) - GaAs 2 3 2 x 2 3 2 3 光譜 ( P h o t o r e f l e c t a n c e , P R )的 F r a n z - K e l d y s h O s c i l l a t i o n s ( F K O 振盪，我們得到、和等樣品的介面內建電場分別等於、 ) air- Al O - Ga O - GaAs 48 2 3 2 x 和，而的介面內建電場則小於。利用 44 38 kV/cm Ga O (Gd O ) - GaAs 2 1 k V / c m 2 3 2 3 簡單平行板電容模型，求得、、和樣品的介面態密度分為 air- Al O - Ga O - GaAs 2 3 2 x 、、和 1 1 - 2 - 1 ，而的介面態密度則小於 1 1 2.4 2.2 1.9 10 cm eV Ga O (Gd O ) - GaAs 10 2 3 2 3 cm- 2 eV- 1 。其量測結果與在準靜高頻模式下，以方法所測得之介面態密 / C - V 度極為吻合。關鍵字：砷化鎵、光反射調制光譜、 F r a n z - K e l d y s h O s c i l l a t i o n s 、內建電場、介面態密度一、前言