电力电子技术课件_第1章节幻灯片.ppt

* 1.8.1 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 SIT ——结型场效应晶体管 * 1.8.2 MOS控制晶体管MCT MCT结合了二者的优点： 承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。 每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 MCT ——MOSFET与晶闸管的复合 * 1.8.3 集成门极换向型晶闸管 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor） ——GCT（Gate-Commutated Thyristor） * 1.8.4 电力电子器件的发展趋势 电力半导体器件的飞速发展大大拓宽了电力电子技术的应用范围。 电力电子器件按其控制机理不同，可分为电压控制型、电流控制型器件和功率集成电路(PIC)。 高频电力电子技术要求电力电子器件具有高开关速度和低通态损耗、高输入阻抗和高工作温度、优良的热稳定性和良好的抗辐射能力。 随着电力电子装置不断向大容量、高频率、易驱动、低损耗等方向发展，可以预测，现代电力电子器件未来发展趋势是：① 快速高频化；② 高容量化；③ 多功能集成化；④ 小型、轻量、廉价化；⑤ 绿色化(污染小)，包括减小生产和原材料应用中的污染，尤其是指减小器件使用中的电磁干扰和射频干扰；⑥ 增加耐用度和可靠性，使用更方便。 * 第1章 电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 电力二极管 1.3 晶闸管及其派生器件 1.4 门极可关断晶闸管 1.5 电力晶体管 1.6 功率场效应晶体管 1.7 绝缘栅双极性晶体管 1.8 其他新型电力电子器件 本章小结 * 本章小结 主要内容 集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用。 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 电力电子器件类型归纳 单极型：电力MOSFET和SIT 双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH 复合型：IGBT和MCT * 器件 优点 缺点 应用领域 GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，电流驱动型需要驱动功率大，驱动电路复杂，存在2次击穿问题 UPS、空调等中小功率中频场合 GTO 电压、电流容量很大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 高压直流输电、高压静止无功补偿、高压电机驱动、电力机车地铁等高压大功率场合。 MOSFET 开关速度快，开关损耗小，工作频率高，门极输入阻抗高，热稳定性好，驱动功率小，驱动电路简单，没有2次击穿 电流容量小，耐压低，通态损耗较大，一般适合于高频小功率场合 开关电源、日用电气、民用军用高频电子产品 IGBT 开关速度高，开关损耗小，通态压降低，电压、电流容量较高。门极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单 开关速度不及电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO。 电机调速，逆变器、变频器等中等功率、中等频率的场合，已取代GTR。应用最广泛的电力电子器件。 ? * 1.5.1 GTR的特性 输出特性可分为四个区： 截止区Ⅰ、放大区Ⅱ、临界饱和区Ⅲ和深饱和区Ⅳ。 在电力电子电路中，要尽量避免GTR工作于线性区，否则功耗将会很大。 器件作为开关应用时，其工作只稳定在截止区和饱和区两个状态，但在开关过程中要经过放大区的过渡。 2. 动态特性 图1-20 GTR的开关特性 * 功率场效应晶体管，是一种单极型电压控制器件，通过栅极电压来控制漏极电流。 1.6 功率场效应晶体管 电力场效应晶体管Power MOSFET 显著优点：驱动电路简单，驱动功率小，同时开关速度快（开关时间10~100ns），工作频率可达