ch04 矽与晶圆准备.pptVIP

半導體製造技術第 4 章矽與晶圓準備 課程大綱 描述天然矽原料如何加工提煉成半導體級矽 (SGS)。 解釋晶體結構與單晶矽的成長技術。 討論矽晶體之主要缺陷。 簡單敘述由矽晶錠加工成為矽晶圓的基本步驟。 說明與討論晶圓供應商所需進行之7項品質測量項目。 解釋何謂磊晶與其重要性。 半導體級矽 晶體結構 非晶材料 晶胞 多晶與單晶結構 晶體方向 用於SG矽的Siemens反應器 晶體結構的原子排列 非晶原子結構 三維結構的單位晶胞 面心立方的單位晶胞 矽單位晶胞：FCC鑽石結構 多晶與單晶結構 單位晶胞的軸方向 Miller指數的晶格平面 單晶矽成長 CZ 方法 CZ 晶體拉升器 摻雜 雜質控制 浮動區域方法 發展大直徑晶錠的理由 CZ晶體拉升器 CZ方法的矽晶碇成長 CZ晶體拉升器 矽中摻雜濃度的命名法 浮動區域晶體成長 晶圓直徑的趨勢 晶圓直徑與屬性 在較大晶圓直徑裡，晶粒數會增加 300mm晶圓直徑和方向需要的發展規格 矽之晶體缺陷 晶體缺陷 (微缺陷) 是指任何妨礙單位晶胞重複性地出現於晶體 晶體缺陷依其形式可區分為3大類： 點缺陷：原子級的局部缺陷。 差排：單位晶胞錯置。 整體缺陷：晶體結構之缺陷。 晶圓的良率 點缺陷 差排 晶格滑動 晶格雙面 晶圓準備的基本製程步驟 晶錠之直徑研磨 晶圓標示平面 晶圓缺口和「雷射」切割 內部直徑鋸 拋光後的晶圓邊緣 雙面晶圓的拋光 品質測量 物理性尺寸 平坦度 粗糙度 含氧量 晶體缺陷 微粒 本體電阻值 改進矽晶圓的規格 晶圓變形 晶圓正面的平坦度 磊晶矽層的形成 P型 (111) P型 (100) N型 (111) N型 (100) 圖 4.21 1234567890 缺口 切割的識別數字 圖 4.22 內部直徑晶圓鋸 圖 4.23 圖 4.24 晶圓的化學蝕刻 圖 4.25 上面拋光墊 下面拋光墊 晶圓 研漿 圖 4.26 Adapted from K. M. Kim, “Bigger and Better CZ Silicon Crystals,” Solid State Technology (November 1996), p. 71. A：平坦度定義為晶圓或是晶圓上某一區域之線性厚度差異。 B：參考粗糙度之內容。 C：RMS：均方根值，為晶圓表面完成後最佳的測量方法。計算方式是取其測量之平方，平均後再取平方根值。晶圓表面完成後之測量為晶圓表面之最高及最低點。 D：ppm為百萬分之一。 E：本體微缺陷代表1cm2之所有缺陷數量。 F：參考磊晶層之敘述。 * .tw ?2005 DLIT, All rights reserved DE LIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY .tw ?2005 DLIT, All rights reserved 授課老師：王宣勝 表 4.1 SiHCl3 多晶體矽柱 圖 4.1 圖 4.2 圖 4.3 單位晶胞 圖 4.4 圖 4.5 圖 4.6 多晶結構 單晶結構 圖 4.7 Z X Y 1 1 1 0 圖 4.8 Z X Y (100) Z X Y (110) Z X Y (111) 圖 4.9 晶種 熔解的多晶矽 加熱擋板 水保護罩 單晶矽 石英坩鍋 碳加熱電熱絲 晶體拉升器 圖 4.10 Photograph courtesy of Kayex Corp., 300 mm Si ingot Photograph courtesy of Kayex Corp., 300 mm Si crystal puller 表 4.2 RF 氣體入口 (鈍氣) 熔解區 活動式RF線圈 多晶柱 (矽) 晶種 鈍氣出口 平盤 平盤 圖 4.11 300 mm 200 mm 150 mm 125 mm 100 mm 75 mm 32 42 52 62 82 122 圖 4.12 表 4.3 88個晶粒 8 晶圓 232個晶粒 12 晶圓 表 4.13 表 4.4 From H. Huff, R. Foodall, R. Nilson, and S. Griffiths, “Thermal Processing Issues for 300-mm Silicon Wafers: Challenges and Opportunities,” ULSI Science a