半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数.docVIP

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半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数

用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数 一、 引言 晶体管在半导体器件中占有重要的地位,也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理,而且还可以分析造成各种器件失败的原因,晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。 本实验的目的是:了解晶体管特性图示仪的工作原理;学会正确使用晶体管特性图示仪;测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。 二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构 晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于Ib =常数(即基极电流Ib不变)。曲线显示出集电极与发射极之间的电压Vcc增加时,集电极电流Ic的变化。因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流Ib为: (1) 图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法 在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器Ec和一个小的电阻Rc,晶体管发射极接地。由于电阻R很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻Rc上流过,电阻Rc上的电压降就正比于Ic。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻Rc两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的Ic随Vcc变化的曲线。(为了保证测量的准确性,电阻Rc应该很小)。用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流Ib是固定不变的。 如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流Ib改变。基极电流Ib的改变采用阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。阶梯电压每跳一级,电流Ib便增加一级。(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。 晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的,它包括阶梯电压发生器(供基极或发射极阶梯波)、锯齿波电压发生器(供集电极扫描电压)、x轴放大器、y轴放大器、示波管系统等组成,其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除Ic(实际上是IcRc)外,还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同,在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如:若x轴作用为集电极电压,y轴作用选择集电极电流,得到晶体管的输出特性曲线;若x轴作用为基极电流,y轴作用选择集电极电流,得到晶体管的电流增益特性(即β特性);若y轴作用为基极电流,x轴作用是基极电流,得到晶体管的输入特性曲线。 图3 阶梯波和锯齿波信号 图4 图示仪的原理方框图 三、晶体管特性图示仪的使用方法 为了不使被测晶体管和仪器损坏,在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格,测试中,在调整仪器的各个选择开关和转换量时,必须注意使加于被测晶体管的电压、电流(并配合功耗电阻)从低量程漫漫提高,直到满足测量要求。 以XJ4810A型晶体管特性曲线图示仪为例,仪器操作程序如下: 1、开启电源,预热5分钟。 2、调整示波器: (1)拉—电源开。 (2)调整辉度到适中的亮度; (3)调整聚焦和辅助聚焦,使线迹清晰。 (4)调整x、y移位,使光点停留在适于观察的位置。 3、基极阶梯调零 首先根据被测晶体管的类型(npn或pnp)及接地方式(共基极或共发射极)选取阶梯极性,参考下表1。 表1 阶梯极性选择 npn pnp 发射极接地 + — 基极接地 — + 然后进行阶梯调零,即调整阶梯信号的起始级在零电位的位置。为了阶梯调零,需先将y轴作用置于“基极电流或基极电源电压”,x轴作用置于集电极电压(V/度),阶梯选择置于0.01V/级,阶梯作用为“重复”。调峰值电压为10V,这时荧光屏上出现阶梯信号。 将y轴放大器校正置于“零点”位置,调y轴移位,使基线位于零线上;再将校正复位,使阶梯信号零位至y轴零线上。这样,零电位即被准确校正。 4、集电极扫描,将集电极扫描全部旋钮(峰值电压范围、极性、峰值电压、功耗电阻)都调到预先需要的范围。 5、y轴作用,将“毫安伏/度”开关与“倍频”开关调到读测需要的范围。 6、x轴作用,将“V/度”开关调到读测需要的范围。 7、基极阶梯信号,将极性、串联电阻、阶梯选择(mA/级或V/级)调到预先需要的范围。阶梯作用需要选择重复、单族或关。 8、测试台,将接地开关按需要选择,然后插上晶体管,然后调节峰值电

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