共射极直流电流放大系数.PPT

2.3.1 图解法在放大电路静态分析中的应用 1．输入回路 列写输入回路方程 VCC=iBRB+uBE 求解静态工作点的常用方法 图解法 估算法 直流负载线与三极管输入特性曲线的交点，即为放大电路的输入静态工作点Qi。 在iB、 uBE坐标系上是一条直线 称为输入回路的直流负载线 VCC=iBRB+uBE 方程 P K 三极管输入特性曲线 直流负载线 0 iB uBE 2．输出回路 VCC=iCRC+uCE 输出回路方程 称为输出回路的直流负载线 M N 直流负载线 输出特性曲线 直流负载线与晶体管输出特性曲线的交点，即为放大电路的输入静态工作点Qo。 在iC、 uCE坐标系上是一条直线 iC 0 uCE 4.3.2 估算法在放大电路静态分析中的应用 UCEQ=VCC－ICQRC 式中，|UBEQ |硅管可取为0.7V，锗管0.3V 由输入回路方程 VCC=iBRB+uBE 得 思 考 题 1. 在晶体管放大电路的分析中，估算法在什么情况下将引起较大的误差？ 在静态分析基础上，分析电路中的交流分量之间关系。主要求Au、Ri、Ro及Uopp等参数。 4.4 放大电路的动态分析 常用的分析方法 图解法 微变等效电路法 4.4.1 图解法在放大电路动态分析中的应用 设输入信号 ui=Uimsinwt V 1．当RL=∞时 在输入回路 uBE=UBE+ui t 0 uBE波形图 iB的波形图 工作点的移动 uBE波形图 （1） iB的形成过程 已知Q a b t 0 0 t 0 a b t M N 0 0 t iB1 iB2 (2) 输出波形 已知Q 已知 iB 工作点的移动 uCE波形图 iC波形图 输出电压uo 0 已知输入信号 小结： 输出信号波形 输出电压uo与输入电压ui相位相反 0 t 0 t (2) 如果静态工作点Q太低 工作点的移动 uBE波形图 a b 已知Q iB1 iB2 iB的波形图 a. 输入波形 0 t t 0 0 a b iB1 iB2 已知Q 已知 iB 工作点的移动 uCE波形图 iC波形图 输出电压 b. 输出波形 截止失真 t M N 0 0 t 0 4.1.3 半导体三极管共射极接法的伏安特性曲线 1．共射极输入特性 共射极输入特性 三极管共射极接法 (1) 输入特性是非线性的，有死区。 (2) 当uBE不变，uCE从零增大，iB减小。 输入特性的特点： (3) 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起，uCE对输入特性几乎无影响。 2．共射极输出特性 输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA 各区的特点： （1）饱和区 a. UCE≤UBE b. IC＜βIB c. UCE增大， IC 增大。 饱和区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA （3） 截止区 a. IB≈0 b. IC≈0 （2） 放大区 a. UCEUBE b. IC=βIB c. IC与UCE无关 饱和区 放大区 i i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 / V u CE 0 1 2 3 4 C / mA 截止区 NPN管与PNP型管的区别 iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反 PNP管电路 NPN管电路 硅管与锗型管的区别 （3） 锗管的ICBO比硅管大 （1） 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1V （2） 导通压降|uBE| 锗管0.3V 硅管0.7 V 4.1.4 半导体三极管的主要电参数 1. 直流参数 （3）发射极开路，集电极——基极间反向饱和电流ICBO （1）共基极直流电流放大系数 （2）共射极直流电流放大系数 （4）发射极开路，集电极——发射极间反向饱和电流ICEO 2. 交流参数 （1）共基极交流电流放大系数α β值与iC的关系曲线 （2）共射极交流电流放大系数β 常数 iC 0 β 3. 极限参数 (4) 集电极最大允许电流ICM (1) 集电极开路时发射极——基极间反向击穿电压U（BR）EBO (2) 发射极开路时集电极——基极间反向击穿电压U（BR）CBO (3) 基极开路时集电极——发射极间反向击穿电压U（BR）CEO iC uCE 0 U (BR)CEO ICM PCM 不安全区 安全区 (5) 集电极最大允许功率耗散PCM 晶体管的安工作全区 等功耗线PC=PCM =uCE×iC 4.1.5 温度对管子参数的影响 1．对β的影响 2．