[工学]合金设计理论3.ppt

第四章 金属缺陷及电子结构与合金设计 内容 引言 位错理论基础 位错及相关缺陷的电子理论描述 合金价电子结构与成分设计 4.1引言 理想晶体的每一个阵点被一特定原子有规律地占据，原子的电子组态处于最低能级，原子自身绕其平衡态振动，整个体系处于相对稳态。 晶格振动、电子激发态、晶格几何缺陷以及原子无序占位都可视为缺陷。 结构缺陷：界面、空位、位错 原子缺陷：杂质、合金化元素类型及占位方式无序 电子缺陷：电子组态杂化或重组 这些缺陷以其结构和组分特征敏感地影响宏观物性及化学性质。 4.2位错理论 1934年泰勒、皮朗依、奥罗万三人几乎同时提出位错的概念。 1956年用电子显微镜薄膜透射法直接观察到位错。 利用局部滑移理解 在已滑移区和未滑移区交界处的原子排列的完整性出现了偏离平衡位置的畸变区 畸变区只有几个或十几个原子间距的宽度，而长度方向尺寸很大，达到晶体的宏观尺寸，呈管道状——位错 位错性质 位错是晶体中原子排列的一种线性缺陷。但它并非几何学上的线，而是有一定宽度的“管道”，管道的横截面不大，相对地说长度一般不短，位错线的形状可以是任意的空间曲线。 位错线必定在晶体中形成一个封闭的曲线；或者虽不封闭，但终止在晶体的界面或表面上，不能终止在晶粒或晶体内部。 位错把晶体中变形部分与未变形部分区分开来，这两部分都是完整晶体。 在位错线附近有原子错排，错排程度距位错越远越小，整个错排的程度用柏氏矢量代表，每一根位错线只有一个柏氏矢量。 简单立方晶体中的刃型位错 刃型位错波纹图 1、刃型位错 刃型位错的特征 有一额外半原子面。 位错线不一定是直线，也可以是折线或曲线。 滑移面只有一个。 位错周围点阵发生了弹性畸变，即有切应变，又有正应变。 位错线的移动方向与晶块滑移方向平行。 2、螺型位错 螺型位错的特征 无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的； 螺位错线周围点阵也发生了弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变而无正应变，即在垂直于位错线的平面投影上，看不出原子的位移； 与滑移矢量平行，一定是直线； 纯螺型位错的滑移面是不定的，凡是包含螺型位错线的平面都可作为它的滑移面，但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行； 位错线的移动方向与晶块滑移方向互相垂直。 在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向，这样的位错称为混合位错。 位错线上任意一点，经矢量分解后，可分解为刃位错和螺位错分量。 晶体中位错线的形状可以是任意的，但位错线上各点的柏氏矢量相同，只是各点的刃型、螺型分量不同而已。 柏氏矢量 是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理量。 该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向，即位错运动导致晶体滑移的方向； 而该矢量的模|b|表示了畸变的程度，称为位错的强度。 柏氏矢量与回路起点及其具体途径无关。 位错的运动 晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现的。 晶体的力学性能如强度、塑性和断裂等均与位错的运动有关。因此，了解位错的运动的有关规律，对于改善和控制晶体力学性能是有益的。 移动单个位错所需的临界切应力 位错移动会遇到一种阻力，此阻力来源于周期排列的晶体点阵，故称为“点阵阻力”。 Perils和Nabarro估算了点阵阻力，故又称为“派－纳力”。 派－纳力实质就是指周期点阵中移动单个位错所需临界切应力 位错的运动方式 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 1、 位错的滑移 位错滑移机理：位错在滑移时是通过位错线或位错附近的原子逐个移动很小的距离完成的. 刃型位错的滑移过程： 位错的滑移特点 （1）刃位错滑移方向与外力?及柏氏矢量b平行，正、负刃位错滑移方向相反。 （2）螺位错滑移方向与外力?及柏氏矢量b垂直，左、右螺型位错滑移方向相反。 （3）混合位错滑移方向与外力?及柏氏矢量b成一定角度（即沿位错线法线方向滑移）。 （4）晶体的滑移方向与外力?及位错的柏氏矢量b相一致，但并不一定与位错的滑移方向相同。 2.位错的攀移 位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。通过空位和原子的扩散才能实现。 刃型位错除了可以在滑移面上滑移外，还可以在垂直于滑移面的方向上运动，即发生攀移。 螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 通常把多余半原子面向上运动称为正攀移，向下运动称为负攀移。 由于攀移伴随着位错线附近原子增加或减少，即有物质迁移，引起晶体体积变化，故把攀移运动称为“非守恒运动”；而相对应的位错滑移为“守恒运动”。 对大多数材料，在室温下很难