光电传感器应用技术第2版教学课件作者王庆有第4章节第1节课件幻灯片.ppt

表明光电三极管的等效电路是在光电二极管的等效电路基础上增加了电流源Ic和基射结电阻Rce、电容Cce、输出负载电阻RL。 选择适当的负载电阻，使其满足RL＜Rce，这时可以导出光电三极管电路的输出电压为 （4-27） 时间响应由以下四部分组成： ① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间； ② 光生载流子渡越基区所需要的时间； ③ 光生载流子被收集到集电极的时间； ④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间； 总时间常数为上述四项和。 3）温度特性 硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要更大些，图4-17（a）所示为暗电流Id与温度的关系曲线，随着温度的升高暗电流增长很快； 图4-17（b）所示为亮电流IL与温度的关系曲线，亮电流IL随温度的变化比光电二极管亮电流IL随温度变化得更快。 4）光谱响应 硅光电二极管与硅光电三极管具有相同的光谱响应。 图4-18所示为典型3DU3的光谱响应特性曲线，它的响应范围为0.4~1.0μm，峰值波长为0.85μm。 对于光电二极管，减薄PN结的厚度可以使短波段波长的光谱响应得到提高，因为PN结减薄后，长波段辐射光谱容易穿透PN结，没有被吸收。 短波段的光谱容易被减薄的PN结吸收。 可以制造出具有不同光谱响应的光伏器件，例如蓝敏器件和色敏器件等。蓝敏器件是在牺牲长波段光谱响应为代价获得的。 第4章 光生伏特器件 4.1 硅光敏二极管 具有光生伏特效应的半导体材料有很多，例如硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）、砷化镓（GaAs）等半导体材料。利用这些材料能够制造出具有各种特点的光生伏特器件，其中硅光生伏特器件具有制造工艺简单、成本低等特点使它成为目前应用最广泛的光生伏特器件。 硅光敏二极管是最简单、最具有代表性的光生伏特器件，其中，PN结硅光敏二极管为最基本的光生伏特器件。 4.1.1 硅光敏二极管 1、基本结构 分为以P型硅为衬底的2DU型与以N型硅为衬底的2CU型两种结构形式。 如图4-1（a）所示的为2DU型光敏二极管的原理结构图。 图4-1（b）为光电二极管的工作原理图 图4-1（c）所示为光敏二极管的电路符号，其中的小箭头表示正向电流的方向（普通整流二极管中规定的正方向），光电流的方向与之相反。 图中的前极为光照面，后极为背光面。 2、光电二极管的电流方程 在无辐射作用的情况下（暗室中），PN结硅光电二极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样，如图4-2所示。其电流方程为 （4-1） ID为负值，且|U | ＞ ＞kT/q时（室温下kT/q ≈ 26mV）的电流，成为反向电流或暗电流。 4 光辐射作用于如图4-1（b）所示的光电二极管上， 4.1.2 光电二极管的基本特性 由式（4-2）光电二极管的全电流方程可以得到如图4-3所示的光电二极管在不同偏置电压下的输出特性曲线，这些曲线反应了光电二极管的基本特性。 普通二极管工作在正向电压大于0.7V的情况下，而光电二极管则必须工作在这个电压以下，否则，不会产生光电效应。 光电二极管的工作区域应在图4-3所示的第3象限与第4象限，很不方便。 在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成如图4-4所示。重新定义的电流与电压的正方向均以PN结内建电场的方向相同的方向为正向。 1.光电二极管的灵敏度 定义光电二极管的电流灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化（例如通量变化dΦ）引起电流变化dI与辐射量变化之比。 （4-3） 当某波长λ的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。 必须指出，电流灵敏度与入射辐射波长λ的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。 在式（4-3）中，表面上看它与波长λ成正比，但是，材料的吸收系数α还隐含着与入射辐射波长的关系。因此，常把光电二极管的电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。 3. 光谱响应 光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电二极管时，其响应程度或电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。 图4-5为几种典型材料的光电二极管光谱响应曲线。 典型硅光电二极管光谱响应长波限为1.1μm左右，短波限接近0.4μm，峰值响应波长为0.9μm左右。 4. 时间响应 以f频率调制的辐射作用于PN结硅光电二极管光敏面时，PN结硅光电二极管的电流产生要经过下