西安交通大学_微电子制造技术_第九章节_集成电路制造概况幻灯片.ppt

七、Contact Formation钛金属接触的主要步骤1）钛的淀积2）退火3）刻蚀金属钛 Figure 9.19 2 Tisilicide contact formation (anneal) Titanium etch 3 Titanium depostion 1 n+ p+ n-well p+ n+ p-well n+ p+ p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate Figure 9.20 作为嵌入LI金属的介质的LI氧化硅 八、局部互连工艺A LI Oxide Dielectric Formation1）氮化硅化学气相淀积2）掺杂氧化物的化学气相淀积3）氧化层抛光（CMP）4）第九层掩膜，局部互连刻蚀 Figure 9.21 1 Nitride CVD p-well p-well p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate LI oxide 2 Doped oxide CVD 4 LI oxide etch Oxide polish 3 B LI Metal Formation1)金属钛淀积（PVD工艺）2）氮化钛淀积3）钨淀积(化学机械气相淀积工艺平坦化)4）磨抛钨 Figure 9.22 n-well LI tungsten polish Tungsten deposition Ti/TiN deposition 2 3 4 LI oxide Ti deposition 1 p-well p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate 九、通孔1和钨塞1的形成A Via-1 Formation1）第一层层间介质氧化物淀积2）氧化物磨抛3）第十层掩膜，第一层层间介质刻蚀 Figure 9.23 Oxide polish ILD-1 oxide etch (Via-1 formation) 2 3 LI oxide ILD-1 oxide deposition 1 ILD-1 p-well n-well p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate B Plug-1 Formation1）金属淀积钛阻挡层（PVD）2）淀积氮化钛（CVD）3）淀积钨（CVD）4）磨抛钨 Figure 9.24 Tungsten polish (Plug-1) Tungsten deposition Ti/TiN deposition 2 3 4 LI oxide Ti dep. 1 ILD-1 p-well n-well p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate 多晶硅 钨 LI 钨塞 Mag. 17,000 X Photo 9.4 多晶硅、钨 LI 和钨塞的SEM显微照片 十、Metal-1 Interconnect Formation1）金属钛阻挡层淀积（PVD）2）淀积铝铜合金（PVD）3）淀积氮化钛（PVD）4）第十一层掩膜，金属刻蚀 Figure 9.25 2 3 4 1 TiN deposition Al + Cu (1%) deposition Ti Deposition LI oxide ILD-1 Metal-1 etch p-well n-well p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate TiN metal cap Mag. 17,000 X Tungsten plug Metal 1, Al Photo 9.5 第一套钨通孔上第一层金属的SEM显微照片 十一、Via-2 FormationA 制作通孔2的主要步骤1）ILD-2间隙填充2）ILD-2氧化物淀积3）ILD-2氧化物平坦化4）第十二层掩膜，ILD-2刻蚀 Figure 9.26 4 p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well p-well LI oxide ILD-1 Oxide polish ILD-2 gap fill 1 3 2 ILD-2 oxide deposition ILD-2 oxide etch (Via-2 formation) B Plug-2 Formation1）金属淀积钛阻挡层(PVD)2）淀积氮化钛(CVD)3）淀积钨（CVD）4）磨抛钨 Figure 9.27 LI oxide Tungsten deposition (Plug-2) Ti/TiN deposition 2 3 Ti deposition 1 ILD-1 I