光电子技术LectureNew17.ppt

* * 光电子技术(17) 4、频率特性 频率特性指光电池对不同重复频率的光脉冲的响应特性。由于光电 池的结面积大，所以结电容大，频率响应慢。硅光电池的截止频率 最高达10-30kHz，减小负载电阻可改善频率特性。 5、光电池的光探测应用 指用光电池作为光探测器，由于光电池的输出功率很弱，不能直接 带负载进行检测，所以光电池的输出信号通常要通过功率放大电路 放大。常用放大电路如图。 6、太阳能电源装置 由于单片光电池的的输出电流很微弱，不能直接做电源应用。通常 是将很多光电池通过串、并联组成光电池组，并与畜电池组装在一 起。实现24小时昼夜工作。通过串联提高电压，通过并联多个相 同串联组获得大的输出电流。 光电子技术(12) 太阳能装置的设计要求： （1）串联组中各片的面积要相等，并联的各组中的所串联的光电池 片数应相同。 （2）在畜电池充电电路中应设置防逆流二极管，阻止畜电池向光电 池组放电。 （3）畜电池应有较长寿命，漏电小，价格低，维护简单。 7、太阳能装置的电压变换 通过倍压升压和通过直流-交流-升压-整流-滤波-高压直流输出 光电子技术(12) 二、半导体光电二极管 1、p-n结型光电二极管 p-n结型光电二极管的结构实际上与光电池完全相同，只是反向应 而已。如图所示，光电二极管被反偏置，即工作在伏安特性曲线的 的第三象限，而光电池工作在第四象限。 2、PIN光电二极管 光电二极管的反向偏置电压主要施加在p-n结的耗尽层上，而非耗尽 层的P、N端的电压降很小，电子在非耗尽区运动主要是靠浓度扩散， 所以电子运动速度慢，导致普通p-n结型光电二极管的响应速度慢， 响应时间在10-7s量级。为了改善p-n结型光电二极管的时间响应特 性，发展了PIN型光电二极管。PIN型光电二极管的结构如图所示。 光电子技术(12) 它由P、N型半导体间夹一本征半导体层，而P、N端的厚度很薄。 所以，反偏置电压近似均匀分布在整个PIN结上，电子在电场作用 下快速漂移运动，减小了电子的渡越时间，提高了响应速度。响应 时间在10-9s量级。 3、雪崩型光电二极管 PIN型光电二极管具有快得多响应速度，但增益低。所以，发展了 雪崩型光电二极管，它既响应快，又具有高的增益。所以具有高的 光电灵敏度。接近光电倍增管。 雪崩二极管的结构和普通二极管的类似，只是在p-n结区增加了一 个保护环，以提高p-n结的反向击穿电压。 雪崩二极管的工作原理：施加接近反向击穿电压的反向偏置电压， 光电子技术(12) 使耗尽区的电场强度达105伏/厘米，光生电子在强电场加速下， 获得高的动能，当与晶格发生碰撞时，使晶格电离形成二次电子。 二次电子再被强电场加速，再次与晶格碰撞，使其电离产生二次 电子，这个过程继续下去，称为雪崩过程，雪崩过程使电子数剧增， 产生大的增益。 光电倍增因子定义为倍增光电流与未倍增光电流之比： 式中VB为反向击穿电压，n为1-3的常数，与材料断面和波长有关。 4、四象限探测器 光电子技术(12) 四象限探测器由四个性能完全相同的光电二极管拼在一起，用于精 确定位和跟踪。结构如图所示。 5、肖特基光电二极管 指金属-半导体二极管。由于金属的电子浓度很高，所以肖特基二 极管的耗尽层主要在半导体一侧。如图所示。 肖特基二极管通常通过金属端受光，所以，受光面大。 三、光电二极管的工作特性 1、光电灵敏度 在给定波长光照下，单位辐射功率产生的光电流，单位uA/W。 光电子技术(12) 式中S为光电灵敏度（uA/lm)，S为光通量。 3、最高工作电压Vmax 无光照时光电二极管中反向电流不超过规定值前提下管子上所允 许的最高反向电压。 4、暗电流 无光照，加一定的反偏电压时，二极管的反向漏电流。 5、光谱响应特性 2、伏安特性 同光电池的一样： 光电二极管均反向应用，且|V|kT/q，所以，指数项为零，即 光电子技术(12) 指光电二极管的光电灵敏度随光波长的变化关系。 6、频率特性 指二极管响应随脉冲光的重复频率的变化关系。度量二极管的时间 响应特性。影响频率特性的因素： （1）结电容。同样条件下减小负载电阻可提高响应频率。 （2）光生载流子的扩散和漂移时间。 四、半导体光电三极管 光电三极管组合了光电二极管的光敏性和三极管的电放大能力， 所以，光电三极管是具有增益的光敏器件。 普通晶体三极管具有电流放大能力，ie=(1+?)ib。光敏三极管就是 光电子技术(12) 将光电流作为三极管的基极电流，从而实现光电流放大。 光电三极管的结构多种多样，最简单的一种就是p-n-p+结构，p+端 做集电极，将n-p+集电结作为光敏结。或n-p-n+结构，将n+端做集 电极， p-n+结作为光敏结。其它结构视工艺、具体应用要求而定。 光电子技术(13) §4.6 变